### 產(chǎn)品簡介
P0603BDD-VB是一款高效單N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計(jì)。其出色的熱性能和高導(dǎo)通能力使其非常適合用于電源管理和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，能夠確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **VDS**: 30V
- **VGS**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
P0603BDD-VB廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)。它在電動汽車、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中發(fā)揮重要作用，能夠有效提升系統(tǒng)的能效和可靠性，滿足高功率需求。