### 產(chǎn)品簡介
NVD6416ANLT4G是一款高效的N-Channel MOSFET，采用TO252封裝，具備100V的漏源電壓（VDS）和適中的導通電阻，設計旨在滿足各種高電壓應用的需求。這款MOSFET提供可靠的性能，廣泛用于電源管理和開關電源領域。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 57mΩ @ VGS=4.5V
- 55mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 25A
- **技術(shù)**: Trench
### 應用領域與模塊
NVD6416ANLT4G廣泛應用于電源管理、DC-DC變換器和工業(yè)控制等領域。其高電壓承受能力使其特別適合于需要100V電壓的高效能開關電源設計，能夠有效降低能量損耗。在工業(yè)控制系統(tǒng)中，該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的電流輸出，增強系統(tǒng)的可靠性。此外，TO252封裝設計在空間有限的應用中也表現(xiàn)出色，滿足現(xiàn)代電子設備的多樣化需求。