### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NVD5890NL-VB是一款高性能的N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為中高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱性能使其在高負(fù)載條件下表現(xiàn)出色，非常適合用于電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏極源極電壓(VDS)**: 40V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 3mΩ@VGS=4.5V
- 1.6mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NVD5890NL-VB廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制和LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，該MOSFET非常適合在要求高效率和低發(fā)熱的環(huán)境中使用，能夠有效提升系統(tǒng)的整體性能，尤其在高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景中，如服務(wù)器電源、工業(yè)電源和汽車電子等。