### NVD5865NLT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NVD5865NLT4G-VB是一款高效能單N通道MOSFET，采用TO252封裝，設(shè)計(jì)用于高電壓和高電流應(yīng)用。該器件具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)越的熱性能，非常適合在各種電源管理和開(kāi)關(guān)電路中使用，以提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**：TO252
- **配置**：?jiǎn)蜰通道
- **VDS**：60V
- **VGS**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**：58A
- **技術(shù)**：Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
NVD5865NLT4G-VB廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC變換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊。它適合用于高效電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)器以及智能電源管理系統(tǒng)等設(shè)備，能夠顯著提高整體系統(tǒng)的效率，并有效降低熱量生成。這款MOSFET在電力電子、消費(fèi)電子和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域中都提供了可靠的開(kāi)關(guān)性能和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。