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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NVD5862NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NVD5862NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NVD5862NT4G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NVD5862NT4G-VB是一款高效能的單極性N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏極源極電壓(VDS)為60V,適用于各種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為3V,確保在不同驅(qū)動(dòng)條件下的可靠性。導(dǎo)通電阻在4.5V和10V的柵極電壓下分別為12mΩ和4.5mΩ,使其在開(kāi)關(guān)效率和能量損失方面表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NVD5862NT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏極源極電壓(VDS)**: 60V
- **柵極源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 12mΩ(VGS=4.5V)
 - 4.5mΩ(VGS=10V)
- **最大漏極電流(ID)**: 97A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **電源管理**: NVD5862NT4G-VB廣泛應(yīng)用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源,能夠高效地進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換與分配,適合于電源適配器和電池充電器。

2. **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**: 在電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車(chē)中,此MOSFET可以作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān),提升電機(jī)效率和性能,降低能耗。

3. **LED照明**: 由于其極低的導(dǎo)通電阻,NVD5862NT4G-VB非常適合LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定的電流,提升LED的亮度和使用壽命。

4. **汽車(chē)電子**: 在汽車(chē)應(yīng)用中,該器件可用于電池管理和電源分配系統(tǒng),提高系統(tǒng)的可靠性和整體性能。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: NVD5862NT4G-VB在智能家居設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品中同樣表現(xiàn)出色,為設(shè)計(jì)者提供高效且緊湊的解決方案,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。

憑借其卓越性能,NVD5862NT4G-VB在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出其重要性,為各種電子應(yīng)用提供了可靠的支持。

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