### 產品簡介
**NTD80N02T4G-VB** 是一款高效能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為低電壓應用設計。該器件以其極低的導通電阻和優(yōu)越的開關特性，特別適合用于高頻電源管理和功率轉換應用。NTD80N02T4G-VB的最大漏源電壓為20V，最大連續(xù)漏電流可達100A，確保其在高負載條件下的高效性和穩(wěn)定性。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: NTD80N02T4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench技術
### 適用領域和模塊示例
1. **電源管理**: NTD80N02T4G-VB廣泛應用于高效的DC-DC轉換器和電源模塊，能夠顯著降低能量損耗，提高電源轉換效率，適合計算機、消費電子設備及便攜式設備。
2. **電動機控制**: 該MOSFET適合用于電動機驅動應用，如家用電器和工業(yè)自動化設備，能夠處理高電流并提供優(yōu)異的控制性能。
3. **汽車電子**: 在汽車電源管理中，NTD80N02T4G-VB可用于電池管理系統(tǒng)和電動助力轉向等功能，確保系統(tǒng)在各種負載條件下的高效性和可靠性。
4. **LED照明**: 由于其快速開關特性，該MOSFET非常適合用于LED照明驅動，提高照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性，廣泛應用于商業(yè)和家用照明。
5. **通信設備**: NTD80N02T4G-VB在無線通信基站和網(wǎng)絡設備中可用于功率放大和電源管理，確保設備在高負載條件下的穩(wěn)定運行。
憑借其卓越的性能，NTD80N02T4G-VB在現(xiàn)代電子設計中成為重要的組成部分，適用于多種應用場景。### 產品簡介
**NTD80N02T4G-VB** 是一款高效能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為低電壓應用設計。該器件以其極低的導通電阻和優(yōu)越的開關特性，特別適合用于高頻電源管理和功率轉換應用。NTD80N02T4G-VB的最大漏源電壓為20V，最大連續(xù)漏電流可達100A，確保其在高負載條件下的高效性和穩(wěn)定性。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: NTD80N02T4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench技術
### 適用領域和模塊示例
1. **電源管理**: NTD80N02T4G-VB廣泛應用于高效的DC-DC轉換器和電源模塊，能夠顯著降低能量損耗，提高電源轉換效率，適合計算機、消費電子設備及便攜式設備。
2. **電動機控制**: 該MOSFET適合用于電動機驅動應用，如家用電器和工業(yè)自動化設備，能夠處理高電流并提供優(yōu)異的控制性能。
3. **汽車電子**: 在汽車電源管理中，NTD80N02T4G-VB可用于電池管理系統(tǒng)和電動助力轉向等功能，確保系統(tǒng)在各種負載條件下的高效性和可靠性。
4. **LED照明**: 由于其快速開關特性，該MOSFET非常適合用于LED照明驅動，提高照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性，廣泛應用于商業(yè)和家用照明。
5. **通信設備**: NTD80N02T4G-VB在無線通信基站和網(wǎng)絡設備中可用于功率放大和電源管理，確保設備在高負載條件下的穩(wěn)定運行。
憑借其卓越的性能，NTD80N02T4G-VB在現(xiàn)代電子設計中成為重要的組成部分，適用于多種應用場景。