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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD80N02G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD80N02G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD80N02G-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

NTD80N02G-VB 是一款高效能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極電壓為 20V,最大漏極電流可達(dá) 100A,結(jié)合超低導(dǎo)通電阻,能夠在電源管理、開關(guān)控制及高功率應(yīng)用中提供卓越的性能。該 MOSFET 的高開關(guān)速度和低功耗特性,使其在各種現(xiàn)代電子設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理**: NTD80N02G-VB 在開關(guān)電源(SMPS)中可高效實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換,適合用于計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源和電源適配器,幫助提升系統(tǒng)的整體能效。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 此 MOSFET 在電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中能夠處理大電流,確保電動(dòng)機(jī)在啟動(dòng)和運(yùn)行過程中的穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于自動(dòng)化設(shè)備和電動(dòng)工具。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 在 LED 照明系統(tǒng)中,NTD80N02G-VB 能夠高效控制 LED 的亮滅和調(diào)光功能,適合用于智能家居和節(jié)能照明解決方案。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 該 MOSFET 在電池管理中起到關(guān)鍵作用,能夠高效管理電池的充放電過程,確保電池的安全性和可靠性,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車和便攜式電子設(shè)備。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**: 由于其優(yōu)越的性能,NTD80N02G-VB 在智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理中得到廣泛應(yīng)用,提升了設(shè)備的能效和使用體驗(yàn)。

通過這些應(yīng)用示例,NTD80N02G-VB 展現(xiàn)了其在多個(gè)領(lǐng)域的廣泛適用性和重要性,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的關(guān)鍵組件。

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