### 產(chǎn)品簡介
NTD65N03RT4G-VB是一款高效能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力，適用于多種功率管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **最大漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）**：3mΩ @ VGS=4.5V，2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流（ID）**：100A
- **技術(shù)**：Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NTD65N03RT4G-VB廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC變換器和電動機(jī)驅(qū)動電路中，尤其適合于需要高效率和低熱量生成的場合。此外，它也可用于電池管理系統(tǒng)和高頻開關(guān)電源，滿足快速切換和高負(fù)載需求。