### NTD5N50T4-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD5N50T4-VB 是一款高壓 N 型 MOSFET，采用 TO252 封裝，適用于高達(dá) 650V 的電壓環(huán)境。該器件采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，確保優(yōu)越的性能和可靠性，適合多種應(yīng)用場(chǎng)景。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NTD5N50T4-VB 適用于電源管理、LED 驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。其高壓能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于電機(jī)控制、開關(guān)電源和各種功率轉(zhuǎn)換模塊，能夠在苛刻環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能。