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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTD5805NT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): NTD5805NT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**NTD5805NT4G-VB** 是一款高效能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件以其出色的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻,適合用于高頻開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。NTD5805NT4G-VB的最大漏源電壓為40V,最大連續(xù)漏電流可達(dá)85A,能夠滿足多種電源轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: NTD5805NT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: NTD5805NT4G-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器中非常有效,能顯著提升轉(zhuǎn)換效率,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電源和消費(fèi)電子設(shè)備。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 此MOSFET適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),特別是在工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)車輛中,能夠處理高電流并實(shí)現(xiàn)高效控制。

3. **汽車電子**: 在汽車電源管理中,NTD5805NT4G-VB適合用于電池管理和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向等功能,確保系統(tǒng)在多種負(fù)載下的穩(wěn)定性。

4. **LED照明**: 該MOSFET的快速開(kāi)關(guān)能力使其在LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提供高效、穩(wěn)定的照明解決方案。

5. **通信設(shè)備**: NTD5805NT4G-VB在無(wú)線通信基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中可用于功率放大和電源管理,確保在高負(fù)載下的高效運(yùn)行。

NTD5805NT4G-VB憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要元件。

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