--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
NTD4960NT4G-VB是一款高效能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,專為電源管理和開關(guān)應用設計。該器件具有優(yōu)異的導通電阻和高電流處理能力,適用于要求嚴格的應用場合。其采用的Trench技術(shù)使得NTD4960NT4G-VB在高頻和高效率運行方面表現(xiàn)出色,適合各種電力電子設備。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單N通道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:80A
- **技術(shù)**:Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
NTD4960NT4G-VB廣泛應用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器等領(lǐng)域。其低導通電阻特性使其在電源開關(guān)應用中可以有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。此外,該MOSFET也適用于電池管理系統(tǒng)、高頻開關(guān)電路及其他需要快速開關(guān)性能的電子設備,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高性能和高效率的要求。
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