### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NTD4857NAT4G-VB是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電流和低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)。其卓越的開關(guān)性能和極低的導(dǎo)通電阻使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，適合在各種苛刻的工作條件下使用，確保高效能和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單一N通道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 30V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: ±20V
- **Vth（閾值電壓）**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3mΩ（@VGS=4.5V），2mΩ（@VGS=10V）
- **ID（最大連續(xù)漏電流）**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NTD4857NAT4G-VB廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)等。在電源管理模塊中，該MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和降低功率損耗；在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，提供穩(wěn)定的電流輸出，以確保高效能；在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，能夠可靠地驅(qū)動(dòng)高電流負(fù)載，實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行；在電池管理系統(tǒng)中，確保高效的充電和放電過(guò)程，以優(yōu)化能量利用和延長(zhǎng)電池壽命。