### 產(chǎn)品簡介
NP52N06SLG-E1-AY-VB是一款高效的單N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓和高電流應用設計。該器件具有60V的漏源電壓（VDS）和出色的導通電阻，適合在要求高效率與低功耗的電路中使用，尤其在空間受限的應用中表現(xiàn)優(yōu)異。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單N通道
- **漏源電壓（VDS）**：60V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流（ID）**：58A
- **技術**：Trench
### 適用領域和模塊
NP52N06SLG-E1-AY-VB適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電動機驅(qū)動等領域。由于其低導通電阻，能夠在高頻開關電源中提升效率并減少熱損耗。此外，該MOSFET也廣泛應用于消費電子、汽車電子和工業(yè)自動化模塊，確保在高負載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。