--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
- ID 11A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NCE60R360K-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NCE60R360K-VB 是一款高性能單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏極-源極電壓 (V_DS) 高達(dá) 650V,適用于高壓電力轉(zhuǎn)換和電源管理應(yīng)用。它的柵極-源極電壓 (V_GS) 范圍為 ±30V,能夠在各種工作條件下保持穩(wěn)定。NCE60R360K-VB 的閾值電壓 (V_th) 為 3.5V,確保在較低的柵極電壓下就能有效導(dǎo)通。其導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON)) 在 V_GS 為 10V 時(shí)為 370mΩ,最大漏電流 (I_D) 為 11A。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),具備出色的電氣性能和可靠性,適用于廣泛的高壓電子設(shè)備。
---
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: NCE60R360K-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極-源極電壓 (V_DS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (V_GS)**: ±30V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
- 370mΩ(在 V_GS = 10V 時(shí))
- **最大漏電流 (I_D)**: 11A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
---
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
NCE60R360K-VB 適用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠處理高達(dá) 650V 的輸入電壓,確保電源系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定。
2. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**
在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,該 MOSFET 可作為高壓開(kāi)關(guān)元件,提升電源的性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。
3. **電動(dòng)工具**
該器件在電動(dòng)工具中可以用作高壓開(kāi)關(guān),確保電動(dòng)工具在高功率和高負(fù)載條件下的安全與穩(wěn)定運(yùn)行。
4. **太陽(yáng)能逆變器**
NCE60R360K-VB 可用于太陽(yáng)能逆變器中,幫助將直流電有效轉(zhuǎn)換為交流電,支持可再生能源的利用。
5. **電動(dòng)車充電器**
該 MOSFET 在電動(dòng)車充電器中發(fā)揮重要作用,能夠高效處理充電過(guò)程中的高電壓和高電流需求,確保充電安全可靠。
NCE60R360K-VB 憑借其出色的電氣特性和可靠性,是許多高壓應(yīng)用中理想的選擇,特別是在電力電子和能源管理系統(tǒng)中的表現(xiàn)尤為突出。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V