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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE60P50K-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE60P50K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
  • ID -50A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是**NCE60P50K-VB**單P通道MOSFET的產(chǎn)品簡介、參數(shù)說明以及應(yīng)用示例:  

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### **一、產(chǎn)品簡介**  
NCE60P50K-VB是一款高效能的單P通道MOSFET,采用TO252封裝,適合高電壓和大電流應(yīng)用。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為-60V,能夠處理較高的負(fù)電壓,使其在需要P通道開關(guān)的場合表現(xiàn)出色。其最大門極至源極電壓為±20V,提供靈活的驅(qū)動能力。該器件的閾值電壓(Vth)為-1.7V,確保能夠在低門極電壓下開啟。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V和10V時分別為25mΩ和20mΩ,提供低功耗和高效率的特性。最大漏電流(ID)為-50A,適合多種高電流應(yīng)用。憑借Trench技術(shù),該MOSFET具有良好的開關(guān)性能和低導(dǎo)通損耗,非常適合電源管理和電動機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用。

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### **二、詳細(xì)參數(shù)說明**  
- **型號**: NCE60P50K-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單P通道  
- **漏極至源極電壓 (VDS)**: -60V  
- **門極至源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 25mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 20mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: -50A  
- **技術(shù)**: Trench  

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### **三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例**  
**1. 電源管理系統(tǒng)**  
NCE60P50K-VB在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中廣泛應(yīng)用,適合用于高效能電源解決方案,能夠提供低損耗和高可靠性的電源轉(zhuǎn)換。

**2. 電動機(jī)驅(qū)動**  
該MOSFET非常適合用于電動機(jī)驅(qū)動電路,如步進(jìn)電機(jī)和直流電動機(jī),提供高電流控制和快速開關(guān)能力,確保電動機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行。

**3. 電池管理系統(tǒng)**  
在電池管理系統(tǒng)中,NCE60P50K-VB可用于充電和放電開關(guān),支持高電流切換并確保系統(tǒng)的高效能和安全性。

**4. 消費(fèi)電子產(chǎn)品**  
該器件可用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源切換和控制電路,幫助提升設(shè)備的能效和續(xù)航能力,特別適合手機(jī)、平板和筆記本電腦。

**5. LED驅(qū)動電路**  
由于其低導(dǎo)通損耗,該MOSFET也適用于LED驅(qū)動應(yīng)用,保證照明設(shè)備在高效能下運(yùn)行,延長產(chǎn)品的使用壽命。

NCE60P50K-VB憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,是現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中一個非常重要的組成部分。

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