--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、N2357D-VB 產(chǎn)品簡介
N2357D-VB 是一款采用 **TO-252 封裝** 的 **單 N 溝道 MOSFET**,專為低壓高電流應用設計。其漏極-源極電壓 (V_DS) 最高可達 **30V**,在 **±20V** 柵極-源極電壓 (V_GS) 下工作,柵極開啟電壓 (V_th) 為 **1.7V**,能在較低的柵極驅動電壓下高效開啟。
該器件在 **V_GS = 4.5V** 時的導通電阻 (R_DS(ON)) 僅為 **9mΩ**,在 **V_GS = 10V** 時更低至 **7mΩ**,支持高達 **70A** 的漏極電流 (I_D)。憑借其 **Trench 技術**,N2357D-VB 在高效開關操作中表現(xiàn)優(yōu)異,是電源管理、電機驅動和電池保護等應用的理想選擇。
---
### 二、N2357D-VB 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **描述** | **數(shù)值** |
|-------------------------|------------------------------------------------|--------------------|
| **封裝類型** | TO-252 封裝 | - |
| **極性** | 單 N 溝道 | - |
| **V_DS** | 漏極-源極電壓 | 30V |
| **V_GS** | 柵極-源極電壓范圍 | ±20V |
| **V_th** | 柵極開啟電壓 | 1.7V |
| **R_DS(ON)** | 導通電阻 (V_GS = 4.5V) | 9mΩ |
| **R_DS(ON)** | 導通電阻 (V_GS = 10V) | 7mΩ |
| **I_D** | 最大漏極電流 | 70A |
| **功率耗散 (P_D)** | 最大功率耗散能力(25°C 時) | 70W |
| **工作溫度范圍** | 允許的結溫范圍 | -55°C ~ 150°C |
| **技術** | Trench 技術 | - |
| **封裝引腳** | 3 引腳(適用于表面安裝) | - |
---
### 三、N2357D-VB 的應用領域與模塊說明
1. **DC-DC 轉換器與電源管理模塊**
N2357D-VB 是 **DC-DC 降壓轉換器** 中的理想開關元件。其低導通電阻減少了能量損耗,提高了電源的轉換效率,適用于通信設備和便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
2. **電池保護和充電系統(tǒng)**
在鋰離子電池和其他可充電電池的 **保護板 (BMS)** 中,該器件可作為開關來防止過流、短路和過充,確保電池組的安全和穩(wěn)定運行。
3. **電機驅動與控制**
該 MOSFET 可用于小型電機驅動器中,如 **無人機電機和智能家電** 的電機控制模塊。其高電流承載能力和快速開關性能確保了電機的穩(wěn)定控制。
4. **汽車電子系統(tǒng)**
N2357D-VB 廣泛用于 **車載電源管理系統(tǒng)和燈光控制模塊**,如 LED 驅動電路和車載 USB 充電器,確保在惡劣環(huán)境下可靠工作。
5. **負載開關和熱插拔應用**
該器件適用于 **負載開關** 和 **熱插拔模塊**,在高負載情況下可以快速響應,并確保系統(tǒng)在插拔過程中不受損害。
---
### 總結
N2357D-VB 作為一款高效能的 N 溝道 MOSFET,憑借其高電流處理能力和低導通電阻,成為各種高效能應用的理想選擇。從電源管理到電池保護,再到汽車電子與電機驅動,N2357D-VB 在多個領域中展現(xiàn)出色性能,確保系統(tǒng)在高電流和嚴苛環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
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