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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTD8N06ET4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MTD8N06ET4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MTD8N06ET4G-VB 產(chǎn)品簡介

MTD8N06ET4G-VB是一款高效能的N通道MOSFET,采用TO252封裝,設(shè)計用于高電流和中等電壓的應(yīng)用。該MOSFET的最高漏源電壓(VDS)為60V,支持±20V的柵源電壓(VGS),使其在多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。MTD8N06ET4G-VB的閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在較低電壓下即可快速開啟。同時,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為85mΩ,VGS=10V時為73mΩ,提供優(yōu)異的電流傳導(dǎo)能力,適合高效率應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: MTD8N06ET4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 
 - 85mΩ (在VGS=4.5V時)
 - 73mΩ (在VGS=10V時)
- **ID**: 18A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

MTD8N06ET4G-VB廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,主要包括:

1. **電源管理**: 該MOSFET在DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中作為主要開關(guān)元件,能夠有效降低能量損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機驅(qū)動**: 在電動機控制應(yīng)用中,MTD8N06ET4G-VB能夠提供高電流支持,適合用作直流電機或步進電機的驅(qū)動開關(guān),確??焖夙憫?yīng)和穩(wěn)定性能。

3. **LED照明**: 在LED驅(qū)動電路中,該MOSFET能有效控制LED的開關(guān),提供穩(wěn)定的亮度,廣泛應(yīng)用于照明控制和調(diào)光系統(tǒng)。

4. **便攜式電子設(shè)備**: 在手機、平板電腦等設(shè)備的充電和電池管理系統(tǒng)中,MTD8N06ET4G-VB作為開關(guān)元件,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的充電過程。

5. **汽車電子**: 此MOSFET在汽車電源管理中同樣有廣泛應(yīng)用,例如用于電池管理和電機驅(qū)動,保證汽車電子系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運行。

綜上所述,MTD8N06ET4G-VB因其高效能和適應(yīng)性,成為眾多應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。

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