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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD6N20E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: MTD6N20E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MTD6N20E-VB 產(chǎn)品簡介

MTD6N20E-VB 是一款高效能的單N通道功率 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,設計用于高電壓和中等電流應用。其漏極-源極電壓 (**VDS**) 高達 **200V**,適合在高壓環(huán)境下工作,廣泛應用于電源管理和開關電路。該器件的柵極-源極電壓 (**VGS**) 可達 ±20V,確保在各種驅(qū)動條件下具備良好的開關性能。閾值電壓 (**Vth**) 為 **3V**,使得在較低驅(qū)動電壓下即可實現(xiàn)有效開啟。導通電阻 (**RDS(ON)**) 在 VGS 為 **10V** 時為 **245mΩ**,可有效降低導通損耗,從而提升系統(tǒng)的能效和可靠性。

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### 詳細參數(shù)說明

| **參數(shù)**                   | **規(guī)格**                      |
|--------------------------|-------------------------------|
| **型號**                   | MTD6N20E-VB                   |
| **封裝**                   | TO252                         |
| **配置**                   | 單N通道                       |
| **漏極-源極電壓 (VDS)**      | 200V                          |
| **柵極-源極電壓 (VGS)**      | ±20V                          |
| **閾值電壓 (Vth)**           | 3V                            |
| **導通電阻 (RDS(ON))**      | 245mΩ @ VGS=10V              |
| **漏極電流 (ID)**           | 10A                           |
| **技術**                   | Trench                       |

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### 應用領域和模塊示例

**MTD6N20E-VB** 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用,具體示例如下:

1. **開關電源 (SMPS)**  
  - 該 MOSFET 常用于開關電源設計中,能夠在高壓下高效地進行電能轉(zhuǎn)換,適用于計算機電源、LED驅(qū)動電源和其他電源模塊,以提高整體能效。

2. **電機驅(qū)動**  
  - 在電動機控制應用中,MTD6N20E-VB 能夠作為高效的開關器件,適用于直流電機和步進電機的驅(qū)動,實現(xiàn)平穩(wěn)的控制和高效的功率傳遞,廣泛應用于工業(yè)自動化設備和家用電器。

3. **LED 照明**  
  - 此 MOSFET 適用于 LED 驅(qū)動電路,能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,確保 LED 的一致性和亮度,特別適合用于商業(yè)照明和高功率 LED 應用。

4. **電源管理 IC**  
  - MTD6N20E-VB 可用于電源管理 IC 中的開關電路,適合在電池管理系統(tǒng)和充電器中進行高效的能量調(diào)度,以優(yōu)化電池充放電過程。

5. **電氣保護**  
  - 在高壓應用中,該 MOSFET 也可用作電路保護設備,如過壓保護和短路保護,通過快速響應和高可靠性,提升系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

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MTD6N20E-VB 是一款強大的功率 MOSFET,憑借其高電壓和優(yōu)異的導通特性,成為眾多應用中的理想選擇。

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