--- 產品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**MTD5P06ET4G-VB**是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓和高電流應用而設計。其最大漏源電壓(VDS)為-60V,適合在負電壓環(huán)境下使用。該器件的柵源電壓(VGS)范圍為±20V,支持靈活的驅動需求。閾值電壓(Vth)為-1.7V,能夠在較低的柵電壓下實現(xiàn)快速導通。導通電阻(RDS(ON))為72mΩ(@ VGS=4.5V)和61mΩ(@ VGS=10V),確保了在高電流(最大漏極電流ID為-30A)條件下的高效導電性能。MTD5P06ET4G-VB采用Trench技術,具有優(yōu)越的開關特性,廣泛應用于電源管理、電動機驅動及其他需要高效率和可靠性的領域。
---
### 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **值** |
|-------------------------|-------------------|
| **型號** | MTD5P06ET4G-VB |
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | 單P溝道 |
| **漏源電壓(VDS)** | -60V |
| **柵源電壓(VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓(Vth)** | -1.7V |
| **導通電阻(RDS(ON))** | 72mΩ @ VGS=4.5V |
| **導通電阻(RDS(ON))** | 61mΩ @ VGS=10V |
| **漏極電流(ID)** | -30A |
| **技術** | Trench |
---
### 應用領域與模塊示例
1. **電源管理**
MTD5P06ET4G-VB在電源管理系統(tǒng)中具有重要作用,適用于電壓調節(jié)和電流控制電路。其能夠在高負電壓下可靠運行,確保電源轉換的穩(wěn)定性和高效性,廣泛應用于DC-DC轉換器和線性調節(jié)器等設計中。
2. **電動機驅動**
在電動機控制應用中,該MOSFET能夠高效驅動各種電動機,適合于電動工具、風扇及其他需要精確控制的設備。其高導電能力和低導通損耗有助于提高電動機的性能和使用壽命。
3. **汽車電子**
該器件可用于汽車電子產品,如電池管理系統(tǒng)和高電壓控制電路,確保在汽車環(huán)境中的可靠性。MTD5P06ET4G-VB的高電流承載能力使其適合于要求嚴格的汽車應用。
4. **LED照明**
MTD5P06ET4G-VB在LED驅動電路中也有廣泛應用,尤其是在高功率LED照明系統(tǒng)中。其低導通電阻能夠有效降低能量損耗,提高LED照明的效率和可靠性。
5. **家電產品**
在家用電器中,該MOSFET可用于高效能量管理,如智能家居設備和各種電動設備,確保在長時間運行中的穩(wěn)定性和低功耗。
---
綜上所述,**MTD5P06ET4G-VB**是一款高效的P溝道MOSFET,適用于電源管理、電動機驅動、汽車電子、LED照明及家電等多個領域。其優(yōu)越的電氣特性和可靠性使其成為負電壓應用的理想選擇。
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