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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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MTD3055T4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: MTD3055T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### MTD3055T4G-VB 產(chǎn)品簡介

**MTD3055T4G-VB** 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的 **漏極-源極電壓 (VDS)** 為 **60V**,適合于各種電源管理和開關(guān)電路。具有最大 **18A** 的連續(xù)漏電流 (ID),使其能夠有效處理較大的負(fù)載電流。在 **VGS=10V** 時,MTD3055T4G-VB 的導(dǎo)通電阻為 **73mΩ**,在 **VGS=4.5V** 時為 **85mΩ**,確保在低柵壓條件下仍能實現(xiàn)優(yōu)秀的導(dǎo)通性能。該器件采用 **Trench 技術(shù)**,具有較高的開關(guān)速度和低的導(dǎo)通損耗,適合于高頻和高功率的電路應(yīng)用。

---

### MTD3055T4G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 73mΩ @ VGS = 10V  
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: 18A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  

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### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:MTD3055T4G-VB 可作為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,尤其是在需要穩(wěn)定高電壓輸出的應(yīng)用中,如升壓和降壓轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻特性可提高轉(zhuǎn)換效率,減少熱量產(chǎn)生。

2. **電源管理**:該 MOSFET 適合于各種電源管理電路,如電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)和電源分配。它能夠在多個電源之間切換,確保設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,特別是在便攜式和移動設(shè)備中。

3. **電機(jī)驅(qū)動**:在電動機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,MTD3055T4G-VB 可用于控制直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),確保對電機(jī)的精確控制和高效運行,廣泛應(yīng)用于電動工具和家電設(shè)備中。

4. **LED 驅(qū)動**:在 LED 照明應(yīng)用中,MTD3055T4G-VB 可以作為開關(guān)元件,控制 LED 的開關(guān)和調(diào)光功能。其較低的導(dǎo)通電阻能減少能量損失,提高 LED 照明系統(tǒng)的效率和壽命。

5. **音頻放大器**:在音頻放大器設(shè)計中,MTD3055T4G-VB 可用于功率放大電路,提升音頻信號的處理能力,確保在高電流下的穩(wěn)定性,非常適合高保真音頻設(shè)備的需求。

綜上所述,MTD3055T4G-VB

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