--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### MTD2955E-T4-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**MTD2955E-T4-VB** 是一款高性能的單 P 溝道 MOSFET,采用 **TO252 封裝**,專為需要負(fù)電壓和高電流處理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的 **漏極-源極電壓 (VDS)** 為 **-60V**,適合用于多種電源管理和開關(guān)電路。具有較高的 **-30A** 最大連續(xù)漏電流 (ID),使其能夠處理較大的負(fù)載電流。在 **VGS=10V** 時(shí),MTD2955E-T4-VB 的導(dǎo)通電阻僅為 **61mΩ**,而在 **VGS=4.5V** 時(shí)為 **72mΩ**,確保在較低電壓條件下仍能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的導(dǎo)通性能。該器件采用 **Trench 技術(shù)**,提供了出色的效率和可靠性,適合在高頻和高功率的電路應(yīng)用中使用。
---
### MTD2955E-T4-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單 P 溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏電流 (ID)**: -30A
- **技術(shù)類型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C
---
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:MTD2955E-T4-VB 可作為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件,特別是在需要負(fù)電壓的應(yīng)用中,如降壓轉(zhuǎn)換器和反相器。其低導(dǎo)通電阻特性能夠提高轉(zhuǎn)換效率,并有效降低功耗。
2. **電源管理**:該 MOSFET 非常適合用于各種電源管理電路,包括負(fù)載開關(guān)和電源分配系統(tǒng)。它可以在多個(gè)電源之間切換,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行,特別是在便攜式和移動(dòng)設(shè)備中。
3. **電機(jī)控制**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制應(yīng)用中,MTD2955E-T4-VB 可用于高效的逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,確保對(duì)直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的精確控制,從而實(shí)現(xiàn)更高的功率和效率。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)**:在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,MTD2955E-T4-VB 可以作為開關(guān)元件,用于控制 LED 照明的開關(guān)和調(diào)光功能。其低導(dǎo)通電阻可減少能量損失,提升 LED 照明系統(tǒng)的整體效率。
5. **音頻放大器**:在音頻放大器設(shè)計(jì)中,MTD2955E-T4-VB 可用于功率放大電路中的開關(guān)元件,提升音頻信號(hào)的處理能力,并確保在高電流下的穩(wěn)定性,適合用于高保真音頻設(shè)備。
綜上所述,MTD2955E-T4-VB 以其卓越的電氣性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為高效、可靠的電源管理解決方案的重要組成部分。
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