### 產(chǎn)品簡介  

**MTD10N10ELT4G-VB**是一款高性能單N溝道MOSFET，封裝形式為TO252，專為高壓和中功率應(yīng)用設(shè)計。該器件具有100V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），使其在各種高壓應(yīng)用中穩(wěn)定工作。MTD10N10ELT4G-VB的閾值電壓（Vth）為1.8V，能夠在較低的柵極電壓下開啟，提高了電路設(shè)計的靈活性。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在10V的柵極電壓下為114mΩ，確保在負(fù)載條件下的低能耗和低發(fā)熱。最大漏極電流（ID）為15A，使其在各類功率要求下都表現(xiàn)出色。采用Trench技術(shù)，MTD10N10ELT4G-VB具備卓越的開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動和LED驅(qū)動等多個領(lǐng)域。

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### 詳細(xì)參數(shù)說明  

| **參數(shù)**                | **值**            |
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| **型號**                | MTD10N10ELT4G-VB |
| **封裝**                | TO252            |
| **配置**                | 單N溝道          |
| **漏源電壓（VDS）**      | 100V             |
| **柵源電壓（VGS）**      | ±20V             |
| **閾值電壓（Vth）**      | 1.8V             |
| **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）** | 114mΩ @ VGS=10V  |
| **漏極電流（ID）**       | 15A              |
| **技術(shù)**                | Trench           |

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### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例  

1. **電源管理系統(tǒng)**  
MTD10N10ELT4G-VB在電源管理系統(tǒng)中可作為高效開關(guān)，特別適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器。其高VDS（100V）和低RDS(ON)特性，使其在高壓轉(zhuǎn)換過程中有效降低能量損耗。例如，在便攜式設(shè)備的電源適配器中，該MOSFET可確保高效能量傳輸，優(yōu)化充電過程。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**  
在電動機(jī)控制應(yīng)用中，MTD10N10ELT4G-VB能夠作為驅(qū)動開關(guān)，支持高達(dá)15A的電流。這使其適合于電動工具、電動車輛和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電機(jī)啟動和調(diào)速控制，滿足多種應(yīng)用需求。

3. **LED驅(qū)動電路**  
該MOSFET在LED驅(qū)動電路中表現(xiàn)出色，可用作高效開關(guān)來控制LED照明系統(tǒng)。MTD10N10ELT4G-VB的低導(dǎo)通電阻特性降低了熱量產(chǎn)生，提升了LED的光效和使用壽命，適合應(yīng)用于各種室內(nèi)外照明系統(tǒng)。

4. **汽車電子應(yīng)用**  
在汽車電子控制模塊中，MTD10N10ELT4G-VB可以用作電源開關(guān)，如電動窗和座椅加熱器的驅(qū)動器。其高電流處理能力和低發(fā)熱特性確保了車輛電子系統(tǒng)的可靠性和安全性，提供穩(wěn)定的電源控制。

5. **工業(yè)自動化與控制**  
該MOSFET適合在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中作為負(fù)載開關(guān)使用。例如，它可用于驅(qū)動繼電器或接觸器，控制各種工業(yè)設(shè)備的啟停。由于其高耐壓和大電流能力，MTD10N10ELT4G-VB能夠滿足各種工業(yè)應(yīng)用中的需求。

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綜上所述，**MTD10N10ELT4G-VB**是一款性能卓越的N溝道MOSFET，廣泛應(yīng)用于電源管理、電動機(jī)控制、LED照明、汽車電子和工業(yè)自動化等多個領(lǐng)域。其高效導(dǎo)通和低能耗特性，使其成為各類電氣應(yīng)用中的理想選擇。