### 一、ME50N10-VB 產(chǎn)品簡介
ME50N10-VB 是一款高性能 **N 溝道 MOSFET**，采用 **TO252 封裝**，專為高壓和高電流應用而設計。其漏極-源極電壓（VDS）為 100V，柵極-源極電壓（VGS）范圍為 ±20V，閾值電壓（Vth）為 1.8V。該器件在 VGS=10V 時的導通電阻 RDS(ON) 僅為 18mΩ，并能承載高達 45A 的電流。憑借低導通損耗和出色的熱性能，該 MOSFET 特別適合高效能的電源系統(tǒng)、開關電路以及工業(yè)控制設備。
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### 二、ME50N10-VB 詳細參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **規(guī)格** | **說明** |
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| **封裝** | TO252 | 緊湊封裝，支持高電流處理，適合高密度電路布局 |
| **溝道類型** | Single-N-Channel | 單通道設計，簡化了開關和控制應用 |
| **VDS (漏極-源極電壓)** | 100V | 支持高壓應用 |
| **VGS (柵極-源極電壓)** | ±20V | 寬廣的柵極驅動電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 1.8V | 低閾值確保低功耗觸發(fā) |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 18mΩ | 低導通電阻減少導通損耗，提高電路效率 |
| **ID (漏極電流)** | 45A | 支持大電流傳輸 |
| **技術** | Trench | 溝槽技術，提升了導通性能和熱管理能力 |
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### 三、ME50N10-VB 的應用領域和模塊示例
1. **電源管理系統(tǒng)**
- ME50N10-VB 可用于 **DC-DC 轉換器** 和 **不間斷電源（UPS）** 系統(tǒng)中。其低導通電阻和高電流能力確保設備在高負載下高效工作，并減少功耗損失。
2. **開關電源 (SMPS)**
- 該 MOSFET 適合用作開關電源中的主開關元件。其 100V 的高壓承載能力使其在工業(yè)和家用電源系統(tǒng)中能夠輕松應對電壓波動，保障設備穩(wěn)定運行。
3. **電動汽車 (EV) 充電模塊**
- 在 EV 充電模塊中，ME50N10-VB 的高電流處理能力使其能夠在 **直流快充** 過程中高效控制電流，確保充電過程安全穩(wěn)定。
4. **工業(yè)控制與電機驅動**
- ME50N10-VB 非常適合 **工業(yè)控制電路** 和 **電機驅動模塊**，能夠處理高壓和高電流信號，確保電機穩(wěn)定高效運行，適用于自動化設備和大型機械系統(tǒng)。
5. **照明系統(tǒng)控制**
- 在 LED 照明系統(tǒng)中，ME50N10-VB 能夠充當 LED 燈串的開關控制器，有效減少能耗，并確保照明穩(wěn)定。其高壓能力也使其適用于戶外和高功率照明設備。
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**總結**：ME50N10-VB 是一款適用于高壓、高電流應用的單 N 溝道 MOSFET。其 100V 的漏極電壓和低至 18mΩ 的導通電阻使其成為 **電源管理、開關電路、充電系統(tǒng)和工業(yè)控制** 等領域的理想選擇。憑借高效的溝槽技術和出色的熱性能，ME50N10-VB 可幫助設計人員實現(xiàn)更可靠、更高效的電子系統(tǒng)。