--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、**ME50N04-VB 產(chǎn)品簡介**
ME50N04-VB 是一款高性能 **單N溝道MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,其設(shè)計滿足中等電壓、高電流應(yīng)用需求。最大漏源電壓(VDS)為 **40V**,柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,適合在復(fù)雜負(fù)載條件下運(yùn)行。該器件的閾值電壓(Vth)為 **2.5V**,可以在較低的驅(qū)動電壓下高效開啟。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 和 10V 時分別為 **6mΩ** 和 **5mΩ**,展示了其極低的導(dǎo)通損耗和出色的開關(guān)性能。ME50N04-VB 的最大連續(xù)漏極電流(ID)高達(dá) **85A**,并采用 **Trench 技術(shù)**,大幅提升了電流處理能力和熱性能,非常適合于電力電子和高頻開關(guān)系統(tǒng)。
---
### 二、**詳細(xì)參數(shù)說明**
| **參數(shù)** | **符號** | **數(shù)值** | **單位** | **說明** |
|-----------------------|--------------|--------------------------|--------------|------------------------------|
| 漏源電壓 | VDS | 40 | V | 最大漏源電壓 |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V | 柵極可承受的電壓范圍 |
| 閾值電壓 | Vth | 2.5 | V | MOSFET 開啟所需的閾值電壓 |
| 導(dǎo)通電阻 (4.5V) | RDS(ON) | 6 | mΩ | VGS=4.5V 時的導(dǎo)通電阻 |
| 導(dǎo)通電阻 (10V) | RDS(ON) | 5 | mΩ | VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻 |
| 最大漏極電流 | ID | 85 | A | 連續(xù)漏極電流 |
| 封裝類型 | - | TO252 | - | 表貼封裝,適合高功率應(yīng)用 |
| 技術(shù)類型 | - | Trench | - | 低導(dǎo)通電阻的溝槽技術(shù) |
---
### 三、**應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例**
1. **電動工具和家用電器**
- ME50N04-VB 適用于 **電動工具和家用電器** 中的電動機(jī)驅(qū)動模塊。其高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗確保電機(jī)在啟動和運(yùn)行時的高效率和低發(fā)熱量。
2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器與穩(wěn)壓模塊**
- 該MOSFET 可用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 作為功率開關(guān),特別是在汽車電子和通信設(shè)備中,以確保高效率的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。
3. **UPS和電池管理系統(tǒng)**
- 在 **不間斷電源(UPS)** 和 **電池管理系統(tǒng)** 中,ME50N04-VB 可用于控制電流的流動,確保電池的充放電效率,并延長電池的使用壽命。
4. **汽車電子系統(tǒng)**
- 該器件非常適合 **汽車控制單元(ECU)** 和 **汽車照明系統(tǒng)** 等應(yīng)用,提供可靠的功率控制和保護(hù)功能。
5. **光伏逆變器與工業(yè)電源**
- 在 **光伏系統(tǒng)** 和 **工業(yè)電源模塊** 中,該MOSFET 的高電流承載能力支持高頻開關(guān)操作,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行。
ME50N04-VB 的低導(dǎo)通電阻、高電流能力及優(yōu)異的熱性能使其成為 **電動機(jī)驅(qū)動、開關(guān)電源及汽車電子** 等多個領(lǐng)域的理想選擇。其穩(wěn)定性和高效能也確保了在嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
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