--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、**ME10N03D-VB 產(chǎn)品簡介**
ME10N03D-VB 是一款采用 **TO252** 封裝的單N溝道MOSFET,專為高性能電源管理和開關應用設計。它具有 **30V** 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),結合了優(yōu)越的導通電阻和高電流處理能力,使其在各種應用場合中表現(xiàn)出色。通過 **Trench 技術** 的應用,該器件實現(xiàn)了較低的導通電阻(RDS(ON)),在較高的負載條件下可顯著降低功耗,提高能效。ME10N03D-VB 特別適合用于空間受限的電子設備。
---
### 二、**詳細參數(shù)說明**
| **參數(shù)** | **符號** | **數(shù)值** | **單位** | **說明** |
|-----------------------|--------------|--------------------------|--------------|------------------------------|
| 漏源電壓 | VDS | 30 | V | 最大承受的漏源電壓 |
| 柵源電壓 | VGS | ±20 | V | 柵極可承受的電壓范圍 |
| 閾值電壓 | Vth | 1.7 | V | MOSFET 開啟所需的最小電壓 |
| 導通電阻 (4.5V) | RDS(ON) | 9 | mΩ | VGS=4.5V 時的導通電阻 |
| 導通電阻 (10V) | RDS(ON) | 7 | mΩ | VGS=10V 時的導通電阻 |
| 最大漏極電流 | ID | 70 | A | 最大連續(xù)漏極電流 |
| 封裝類型 | - | TO252 | - | 提供良好熱性能的標準封裝 |
| 技術類型 | - | Trench | - | 低導通電阻、高密度溝槽技術 |
---
### 三、**應用領域及模塊示例**
1. **消費電子:筆記本電腦電源管理**
- ME10N03D-VB 可用于 **筆記本電腦的電源管理模塊**,在高功率轉換中有效降低功耗,提高電源效率。
2. **DC-DC 轉換器**
- 在 **降壓(Buck)轉換器** 中作為主要開關管使用,憑借其低 RDS(ON) 特性,實現(xiàn)高效的電壓轉換和能量管理。
3. **汽車電子:電動窗控制和照明**
- 適用于 **汽車電子系統(tǒng)** 中,如電動窗控制和照明模塊,能夠在高電流條件下穩(wěn)定工作,確保設備可靠性。
4. **工業(yè)控制:機器人和電機驅動**
- 在 **工業(yè)自動化和機器人控制** 中,用作開關控制元件,能夠處理高達 70A 的電流,適合電機驅動和負載控制應用。
ME10N03D-VB 在多個領域展現(xiàn)出強大的性能,特別適合用作高效電源管理、負載開關以及各類電子設備中的關鍵開關元件。
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