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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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LR210ATF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): LR210ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、LR210ATF-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

LR210ATF-VB是一款采用Trench技術(shù)的單N溝道MOSFET,封裝形式為T(mén)O252。該器件設(shè)計(jì)用于高電壓應(yīng)用,具有高達(dá)200V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)承受能力。憑借其850mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) @ VGS=10V)和5A的連續(xù)漏極電流能力,LR210ATF-VB在提供高效能的同時(shí),能夠處理較大的電壓和電流需求。該MOSFET適用于需要高電壓、低功耗和高可靠性的電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,特別是在工業(yè)和電力電子領(lǐng)域。

### 二、LR210ATF-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **器件類(lèi)型**: N溝道MOSFET
- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 850mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)類(lèi)型**: Trench
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C
- **功耗 (Ptot)**: 50W

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**
  - LR210ATF-VB的高壓能力使其非常適合用于電源管理系統(tǒng),特別是在AC-DC轉(zhuǎn)換器和高壓直流電源中。它可以作為主開(kāi)關(guān)或同步整流器使用,提供高效的能量轉(zhuǎn)換,減少開(kāi)關(guān)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。

2. **工業(yè)控制**
  - 在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,LR210ATF-VB可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器應(yīng)用。其能夠承受高電壓的特點(diǎn)使其適合用于控制大功率設(shè)備,如泵、風(fēng)扇和傳動(dòng)裝置,提高系統(tǒng)的可靠性和性能。

3. **通信設(shè)備**
  - 在通信基礎(chǔ)設(shè)施中,如基站和信號(hào)放大器,LR210ATF-VB可以作為高壓功率放大器的開(kāi)關(guān)元件,確保信號(hào)的穩(wěn)定傳輸并減少能量損耗。這對(duì)于確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性至關(guān)重要。

4. **消費(fèi)電子**
  - LR210ATF-VB也可應(yīng)用于高功率消費(fèi)電子設(shè)備,例如電動(dòng)工具和家用電器。這些設(shè)備通常需要高壓和高電流的處理能力,LR210ATF-VB能夠有效支持這些需求,提升設(shè)備的性能和用戶(hù)體驗(yàn)。

通過(guò)其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,LR210ATF-VB在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中扮演著重要的角色,成為滿(mǎn)足高效能和高可靠性需求的理想選擇。

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