### LR120-VB 產(chǎn)品簡介
LR120-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為中等電壓和電流應用設計。其最高漏源極耐壓為100V，適合在各種電源管理和開關應用中使用。該MOSFET的閾值電壓為1.8V，具有較低的導通電阻（114mΩ @ VGS=10V），能夠有效降低能量損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。采用先進的溝槽（Trench）技術，LR120-VB 在高頻開關條件下表現(xiàn)出色，適合用于高性能電源模塊及其他電子設備。
### LR120-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO252
- **溝道配置**: 單N溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術類型**: 溝槽（Trench）技術
### 應用領域及模塊舉例
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
LR120-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中具有優(yōu)異的性能，尤其適用于中低壓應用。由于其低導通電阻和高電流能力，該MOSFET 能夠有效地減少功耗，從而提升整體轉(zhuǎn)換效率。常見的應用包括移動設備的充電器和小型電源模塊。
2. **開關電源 (SMPS)**
在開關電源設計中，LR120-VB 適合用于小型和中型負載的電源管理。其高耐壓和低功耗特性使其成為理想的開關元件，廣泛應用于計算機電源、工業(yè)電源和家用電器等領域，能夠幫助提高電源效率并降低熱損耗。
3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
該MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中也表現(xiàn)良好，可用于控制充電與放電路徑。LR120-VB 的低導通電阻與高電流承載能力非常適合用于電動車和儲能系統(tǒng)，確保能量傳遞的高效與安全。
4. **逆變器與整流器**
在逆變器和整流器中，LR120-VB 可作為功率開關，提升轉(zhuǎn)換效率。其高耐壓性能使其適用于太陽能逆變器和電力轉(zhuǎn)換設備，有助于在高負載條件下維持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，為可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)電力設備提供有效支持。