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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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LR110ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: LR110ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

LR110ATM-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),封裝在TO252型封裝中。該MOSFET具有較高的最大漏源電壓(VDS)為100V,適用于要求較高電壓的應(yīng)用場合。它的柵源電壓(VGS)范圍為±20V,開啟電壓(Vth)為1.8V。在柵源電壓為10V時,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為114mΩ,支持最大漏極電流(ID)為15A。這使得LR110ATM-VB在高效開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO252
- **極性**: N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:LR110ATM-VB的高電壓和低導(dǎo)通電阻使其在開關(guān)電源模塊中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效地提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,廣泛應(yīng)用于消費電子產(chǎn)品和工業(yè)電源系統(tǒng)。

2. **LED驅(qū)動電路**:該MOSFET的性能特點使其非常適合用于LED驅(qū)動電路,能夠穩(wěn)定驅(qū)動高功率LED,實現(xiàn)高效的照明解決方案,尤其在戶外和商用照明中有廣泛應(yīng)用。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理應(yīng)用中,LR110ATM-VB能夠在充放電過程中有效控制電流,保證電池安全與效率,是電動車和儲能系統(tǒng)中不可或缺的組件。

4. **電機控制**:該器件適用于各種電機控制應(yīng)用,包括無刷直流電機(BLDC)驅(qū)動,能夠在控制電流和電壓方面提供高效能,確保電機的可靠性與穩(wěn)定性。

5. **功率開關(guān)**:LR110ATM-VB可用作高功率負(fù)載開關(guān),適合各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中的開關(guān)應(yīng)用,能夠承受15A的電流,為系統(tǒng)提供安全和可靠的開關(guān)控制。

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