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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR110ATF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR110ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR110ATF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

LR110ATF-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝設計,專為中等電壓和電流應用而設計。該器件的漏源極電壓(VDS)最高可達100V,適合廣泛的電源管理和開關電路應用。其柵極驅動電壓范圍為±20V,使其在多種工作環(huán)境中都能穩(wěn)定運行。LR110ATF-VB 的閾值電壓(Vth)為1.8V,具有相對較低的導通電阻(RDS(ON) = 114mΩ @ VGS = 10V),使其在開關應用中具有較高的效率和較低的功耗。憑借其溝槽技術,LR110ATF-VB 能在高效能量傳輸中提供優(yōu)異的性能,適合各種電力電子應用。

### LR110ATF-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱         | 數(shù)值                           |
|------------------|--------------------------------|
| 封裝類型         | TO252                          |
| MOSFET配置       | 單N溝道                        |
| 漏源極電壓 (VDS) | 100V                           |
| 柵極電壓 (VGS)   | ±20V                           |
| 閾值電壓 (Vth)   | 1.8V                           |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 114mΩ @ VGS = 10V             |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 15A                            |
| 技術              | 溝槽 (Trench) 技術             |

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理模塊**  
  LR110ATF-VB 在電源管理模塊中的應用非常廣泛。其高電壓和電流承載能力使其能夠在開關電源和線性電源中提供高效的電能轉換,尤其是在需要穩(wěn)壓和濾波的應用場景中,能夠有效降低功耗和發(fā)熱。

2. **LED驅動電路**  
  在LED驅動電路中,LR110ATF-VB 適合用于調節(jié)和控制LED的電流。由于其較低的導通電阻和高效的開關性能,該MOSFET 可以實現(xiàn)穩(wěn)定的亮度輸出,并提高電源效率。

3. **電動工具**  
  LR110ATF-VB 可以在電動工具中用作開關控制器,幫助管理電動機的啟動和運行。其較高的電流能力和高電壓等級使其能夠承受工具在啟動時的瞬時電流,確保設備可靠性。

4. **電池充電器**  
  在電池充電器設計中,該MOSFET 可用于功率管理,尤其是在高效充電模式下。其低RDS(ON)特性能夠減少充電過程中的能量損失,提升充電效率,并延長電池的使用壽命。

LR110ATF-VB 的優(yōu)異性能使其成為多個行業(yè)和應用中理想的選擇,特別是需要高效能量管理和開關的系統(tǒng)。

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