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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K65S04K3L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K65S04K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介**  
K65S04K3L-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用 TO252 封裝,具有出色的電氣性能和高效的能量轉(zhuǎn)換能力。該型號的耐壓能力為 40V,額定漏極電流為 85A,非常適合用于高電流和高頻率應(yīng)用。其設(shè)計(jì)基于先進(jìn)的溝槽型(Trench)技術(shù),確保在低柵極電壓下(如 4.5V 和 10V)保持低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),從而降低熱損耗并提高整體系統(tǒng)效率。這使得 K65S04K3L-VB 成為電源管理、開關(guān)電源和電動驅(qū)動系統(tǒng)中理想的選擇。

**詳細(xì)參數(shù)說明**  
1. **封裝類型**:TO252  
2. **極性配置**:單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**:40V  
4. **柵極電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開啟電壓 (Vth)**:2.5V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 6mΩ @ VGS=4.5V  
  - 5mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:85A  
8. **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)  

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例**  
1. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:K65S04K3L-VB 可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理模塊,例如手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器和游戲主機(jī)。其低導(dǎo)通電阻和高效率能有效降低熱量,提升充電速度與設(shè)備的整體性能。

2. **電源轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器中,該型號的MOSFET能提供高效的開關(guān)性能,適合用于電源供應(yīng)、光伏逆變器和電源模塊等。這種高效能轉(zhuǎn)換能夠在多個應(yīng)用場合中保持穩(wěn)定的輸出,提高能源利用率。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在自動化和控制領(lǐng)域,K65S04K3L-VB 適用于電機(jī)驅(qū)動、伺服系統(tǒng)和工業(yè)機(jī)器的開關(guān)電源。其高電流承載能力和快速開關(guān)特性,能夠確保工業(yè)設(shè)備在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行,滿足現(xiàn)代工業(yè)對高效率和高可靠性的要求。

總之,K65S04K3L-VB 是一款性能卓越的 MOSFET,適用于多個領(lǐng)域與模塊,能夠有效提升電力轉(zhuǎn)換和開關(guān)的效率。

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