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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K50S04K3L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K50S04K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**K50S04K3L-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

K50S04K3L-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用而設(shè)計。該器件的漏源極電壓 (VDS) 可達(dá) 40V,適用于各種高效電源和電機(jī)控制解決方案。其閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,確保在較低的柵源電壓下實現(xiàn)可靠的開關(guān)操作。在 VGS=10V 時,其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 僅為 5mΩ,提供了極低的導(dǎo)通損耗。K50S04K3L-VB 的最大漏極電流 (ID) 可達(dá) 85A,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),確保了出色的熱性能和效率,廣泛應(yīng)用于電源管理、工業(yè)控制及電動機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域。

**K50S04K3L-VB 詳細(xì)參數(shù)說明**

- **封裝類型**:TO252
- **溝道類型**:單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:40V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:85A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

**K50S04K3L-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊**

1. **電源管理**:K50S04K3L-VB 在電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其是在高效率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效率,廣泛應(yīng)用于計算機(jī)電源、通信設(shè)備及便攜式電子產(chǎn)品。

2. **電動機(jī)驅(qū)動**:該 MOSFET 非常適合用于電動機(jī)控制應(yīng)用,能夠在電動機(jī)驅(qū)動器中處理高電流,確保平穩(wěn)啟動和運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于電動工具、家用電器及工業(yè)自動化設(shè)備。

3. **LED 驅(qū)動電路**:K50S04K3L-VB 可用于 LED 驅(qū)動電路,提供穩(wěn)定的電流輸出以驅(qū)動高功率 LED,適用于照明應(yīng)用和顯示屏,確保LED的高效和長壽命。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于電源分配和電機(jī)驅(qū)動,如電動窗、座椅調(diào)節(jié)和其他電動裝置,其高耐壓和高電流能力使其能夠滿足汽車應(yīng)用的要求。

5. **電源適配器**:由于其低導(dǎo)通電阻和高效率,K50S04K3L-VB 是電源適配器和充電器中的理想選擇,能夠在高負(fù)載條件下穩(wěn)定工作,確保設(shè)備安全充電。

K50S04K3L-VB MOSFET 憑借其出色的電氣性能、低功耗和廣泛的應(yīng)用適應(yīng)性,成為低壓高電流應(yīng)用中的關(guān)鍵組件,能夠為各種電子設(shè)備提供高效的解決方案。

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