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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4P55D-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4P55D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:K4P55D-VB MOSFET

K4P55D-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠承受高達(dá)5A的導(dǎo)通電流(ID)。該器件采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),具備較低的導(dǎo)通電阻,在10V的柵源電壓下,RDS(ON)為1000mΩ,確保在運(yùn)行過(guò)程中實(shí)現(xiàn)良好的熱管理和能效。K4P55D-VB廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)設(shè)備和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域,是需要高電壓和高電流處理的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大導(dǎo)通電流(ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI
- **功耗**: 優(yōu)秀的能量轉(zhuǎn)換效率,適合高電流應(yīng)用
- **工作溫度范圍**: 可在多種工業(yè)環(huán)境中穩(wěn)定工作

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

1. **開(kāi)關(guān)電源**:K4P55D-VB廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中,能夠高效轉(zhuǎn)換650V電壓,保證高效能和低熱損耗,適合高電流的電源管理需求。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,K4P55D-VB可以作為功率開(kāi)關(guān),控制電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)、運(yùn)行和停止,確保電動(dòng)機(jī)在高壓條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**:該MOSFET可用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電路,以支持高電壓信號(hào)的控制,實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高效運(yùn)行和能效提升。

4. **電氣設(shè)備保護(hù)電路**:K4P55D-VB能夠在電氣設(shè)備的保護(hù)電路中應(yīng)用,提供過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù),確保設(shè)備安全且穩(wěn)定的運(yùn)行。

5. **LED驅(qū)動(dòng)電路**:在LED照明系統(tǒng)中,該器件可用于驅(qū)動(dòng)高功率LED,實(shí)現(xiàn)高效能的照明解決方案,降低能耗并延長(zhǎng)LED使用壽命。

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