--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### K4212A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
K4212A-VB 是一款高性能、低電阻的單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電流、低電壓應用設計。其漏極到源極電壓(VDS)為 30V,柵極到源極電壓(VGS)為 ±20V,具有較低的開啟閾值電壓(Vth),僅為 1.7V。該器件在 VGS 為 4.5V 時,導通電阻(RDS(ON))為 6mΩ,在 VGS 為 10V 時進一步降低至 5mΩ,支持高達 80A 的連續(xù)漏電流(ID)。該 MOSFET 采用 Trench 技術,提供更低的導通電阻和高效的功率轉換,非常適合高效率的電源管理和開關應用。
### 詳細參數(shù)說明:
1. **封裝:** TO252 – 小型散熱封裝,適合高功率應用。
2. **配置:** 單 N 通道 – 適用于開關和放大電路中的高電流應用。
3. **VDS(漏極到源極電壓):** 30V – 適合低電壓應用。
4. **VGS(柵極到源極電壓):** ±20V – 提供穩(wěn)定的柵極驅(qū)動耐受能力。
5. **Vth(閾值電壓):** 1.7V – 低閾值電壓,適合低電壓控制應用。
6. **RDS(ON)(漏源間導通電阻):**
- 6mΩ @ VGS = 4.5V – 低電阻,適合低電壓導通。
- 5mΩ @ VGS = 10V – 更低電阻,支持更高電流。
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 80A – 適合高電流處理,適用于大功率電路。
8. **技術:** Trench – 溝槽技術,提供更高的效率和低損耗。
### 應用示例:
K4212A-VB MOSFET 以其低導通電阻和高電流承載能力,適合廣泛的應用領域,尤其是在高效功率轉換和開關電路中。以下是一些具體的應用場景:
- **電源管理模塊(Power Management Modules):** 該 MOSFET 適合用于 DC-DC 轉換器和電源調(diào)節(jié)器,特別是在計算設備、服務器和網(wǎng)絡設備中,能夠在低電壓下高效地傳輸大電流,優(yōu)化能效。
- **電動工具:** 在高功率電動工具中,K4212A-VB 可用于電機控制和功率開關應用,提供足夠的電流承載能力,確保工具在重載條件下的可靠工作。
- **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,該器件適用于車載電源分配、電池管理和電動系統(tǒng)控制,確保在苛刻的環(huán)境下提供高效的功率管理。
- **消費類電子產(chǎn)品:** K4212A-VB 在高性能的消費類電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦、智能手機和平板電腦的電源管理模塊中發(fā)揮著關鍵作用,確保設備的高效能耗控制。
- **照明系統(tǒng):** 在 LED 驅(qū)動器和電源控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供穩(wěn)定的電流控制,確保 LED 照明設備的長壽命和高效能。
綜上所述,K4212A-VB MOSFET 憑借其優(yōu)異的低導通電阻、高電流能力和高效 Trench 技術,廣泛應用于電源管理模塊、電動工具、汽車電子以及消費類電子產(chǎn)品中,確保了高效的功率轉換和穩(wěn)定的電流控制。
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