### 一、K4078B-ZK-VB 產(chǎn)品簡介

K4078B-ZK-VB 是一款高效能的單 N 溝道 MOSFET，采用 TO252 封裝，專為低電壓、高電流應(yīng)用而設(shè)計。其漏源電壓 (VDS) 達到 40V，能夠支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在多種工作條件下的穩(wěn)定性。該器件的柵極門限電壓 (Vth) 為 2.5V，提供了快速的開關(guān)響應(yīng)能力。在導(dǎo)通狀態(tài)下，K4078B-ZK-VB 的漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 6mΩ（@ VGS=4.5V）和 5mΩ（@ VGS=10V），使其在功率損耗方面表現(xiàn)優(yōu)異，適合高效電源應(yīng)用。該器件的最大漏極電流 (ID) 為 85A，非常適合需要大電流處理的場合，采用了溝槽 (Trench) 技術(shù)，進一步提升了其開關(guān)速度和導(dǎo)通性能。

### 二、K4078B-ZK-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**：K4078B-ZK-VB
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：40V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極門限電壓 (Vth)**：2.5V
- **漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**：85A
- **技術(shù)類型**：溝槽技術(shù)（Trench）
- **工作溫度范圍**：-55°C 至 150°C（結(jié)溫）
- **功率耗散**：待具體應(yīng)用情況下評估

### 三、K4078B-ZK-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源管理系統(tǒng)**  
  K4078B-ZK-VB 非常適合用于電源管理應(yīng)用，包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源適配器。其低 RDS(ON) 值和高電流能力能夠有效提高功率轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗，特別適用于對能效要求較高的設(shè)備。

2. **負(fù)載開關(guān)**  
  在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，K4078B-ZK-VB 能夠快速響應(yīng)控制信號，確保在不同負(fù)載條件下的高效切換。其高達 85A 的漏極電流能力使其能夠處理各種工業(yè)和消費電子設(shè)備中的高功率負(fù)載，保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

3. **電機驅(qū)動**  
  該 MOSFET 適用于各種電機驅(qū)動應(yīng)用，如小型電機控制和自動化系統(tǒng)。其快速開關(guān)特性使得電機啟動和停止迅速高效，有助于提升電機運行的整體性能，廣泛應(yīng)用于家電和工業(yè)設(shè)備中。

4. **汽車電子**  
  K4078B-ZK-VB 也可應(yīng)用于汽車電子系統(tǒng)中，如電源分配和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)，確保高電流處理的同時保證穩(wěn)定性和安全性。這類應(yīng)用要求器件在高溫和嚴(yán)苛環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作，而該 MOSFET 能夠滿足這些要求。

綜上所述，K4078B-ZK-VB 是一款高性能的 MOSFET，適用于多種低電壓、高電流應(yīng)用領(lǐng)域，包括電源管理、負(fù)載開關(guān)、電機驅(qū)動和汽車電子等。其卓越的電氣性能使其在各類應(yīng)用中成為理想選擇。