### K3367-Z-E1-AZ-VB 產(chǎn)品簡介
K3367-Z-E1-AZ-VB是一款高性能單N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為低電壓高電流應用設(shè)計。其最大漏源電壓（VDS）為30V，適合用于要求小型化和高效率的電子設(shè)備。該器件的閾值電壓（Vth）為1.7V，能夠在較低的柵源電壓下正常工作。K3367-Z-E1-AZ-VB具有優(yōu)越的導通電阻，分別為9mΩ（@VGS=4.5V）和7mΩ（@VGS=10V），可承載高達70A的漏電流，確保在高頻開關(guān)操作中實現(xiàn)最低能耗。
### K3367-Z-E1-AZ-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝**：TO252
- **配置**：單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**：30V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 9mΩ（@ VGS = 4.5V）
- 7mΩ（@ VGS = 10V）
- **最大漏電流 (ID)**：70A
- **技術(shù)**：Trench技術(shù)
### 應用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高效開關(guān)電源**：K3367-Z-E1-AZ-VB非常適合于低電壓高效開關(guān)電源（SMPS），因其低導通電阻和高電流能力，能夠有效降低功耗，提升系統(tǒng)效率。
2. **LED驅(qū)動**：在LED驅(qū)動電路中，該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的電流控制，確保LED的亮度穩(wěn)定，廣泛應用于各類照明系統(tǒng)中。
3. **電池管理系統(tǒng)**：K3367-Z-E1-AZ-VB在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠高效管理充放電過程，確保電池安全使用，提升電池的性能和壽命。
4. **小型電機控制**：在小型電機驅(qū)動應用中，該MOSFET可以作為H橋電路的開關(guān)，控制電機的啟停及調(diào)速，適合于消費電子產(chǎn)品和機器人技術(shù)。
5. **電源管理IC**：作為電源管理集成電路中的開關(guān)元件，K3367-Z-E1-AZ-VB能夠高效切換電源路徑，廣泛應用于智能手機和便攜式設(shè)備中。
K3367-Z-E1-AZ-VB憑借其卓越的性能和多樣化的應用，成為現(xiàn)代電子設(shè)計中不可或缺的關(guān)鍵元件。