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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2361-TL-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2361-TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K2361-TL-VB
K2361-TL-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,封裝采用TO252,專為高電壓和中等電流應用設計。該器件的漏源極電壓(VDS)可達650V,適合在高壓環(huán)境下工作,確保穩(wěn)定性和可靠性。其柵源極電壓(VGS)范圍為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,具備良好的開關(guān)特性。K2361-TL-VB在柵源電壓為10V時的導通電阻(RDS(ON))為700mΩ,漏極電流(ID)最高可達7A。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù),旨在提供優(yōu)異的導電性能與熱管理,適用于多種工業(yè)和消費電子應用。

### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓(VDS)**: 650V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 
 - 700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應用領(lǐng)域與模塊:
1. **開關(guān)電源**  
  K2361-TL-VB適用于開關(guān)電源設計,尤其是在高壓應用場合。其高達650V的耐壓能力和較低的導通電阻使其能夠在高效率電源轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用,提升整體系統(tǒng)的能量利用率。

2. **電動機控制**  
  在電動機驅(qū)動應用中,K2361-TL-VB可用作電機控制開關(guān),能夠穩(wěn)定地處理高電壓和電流,適合各種電機控制系統(tǒng),例如伺服電機和步進電機驅(qū)動。

3. **照明設備**  
  該MOSFET廣泛應用于高功率照明系統(tǒng)中,如LED驅(qū)動器和傳統(tǒng)燈具。其高壓能力和優(yōu)異的導電特性確保燈具在運行中的高效性和可靠性。

4. **逆變器**  
  K2361-TL-VB適合用于逆變器設計中,能夠有效轉(zhuǎn)換直流電源為交流電,支持高電壓應用,如太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。

綜上所述,K2361-TL-VB憑借其高電壓、高效率和優(yōu)異的熱性能,廣泛適用于開關(guān)電源、電動機控制、照明設備和逆變器等多個領(lǐng)域,為各種應用提供了可靠的解決方案。

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