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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K20P04M1-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K20P04M1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K20P04M1-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K20P04M1-VB 是一款高效能的單通道 N 型 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高功率應用而設計。該產(chǎn)品具有最大漏源極電壓(VDS)為40V,能夠在多種電源管理和開關應用中穩(wěn)定工作。其柵源極電壓(VGS)范圍為±20V,確保在不同的工作環(huán)境下保持良好的性能。開啟電壓(Vth)為2.5V,顯示出良好的開關特性。在 VGS 為4.5V 時,導通電阻(RDS(ON))為14mΩ,而在 VGS 為10V 時更低,僅為12mΩ,這使得 K20P04M1-VB 在高電流應用中表現(xiàn)出色,最大漏極電流(ID)可達55A,適合對能效和低熱量有嚴格要求的電路。

### 二、K20P04M1-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO252
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:40V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:2.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 4.5V 時:14mΩ
 - VGS = 10V 時:12mΩ
- **漏極電流(ID)**:55A
- **技術**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **功耗**:最大可達 70W(典型)
- **輸入電容(Ciss)**:約1800pF(典型)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:漏極(Drain)
 - 引腳2:源極(Source)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K20P04M1-VB 應用領域與模塊示例
1. **開關電源(SMPS)**:K20P04M1-VB MOSFET 特別適合用于開關電源模塊,能夠有效處理高達40V 的電壓和55A 的電流。這一特性使其在高效能的電源管理中表現(xiàn)出色,減少功耗和發(fā)熱,提高整體系統(tǒng)效率。

2. **電動機驅(qū)動**:在電動機控制系統(tǒng)中,K20P04M1-VB 能夠處理高電流,使其適用于工業(yè)自動化中的電動機驅(qū)動模塊。其快速切換能力確保電動機在啟動和停止時的高效能和穩(wěn)定性。

3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在鋰電池和其他高能量密度電池的管理中,該 MOSFET 可用于充電和放電的開關控制。其低導通電阻特性可以降低熱量產(chǎn)生,從而提高電池的安全性和性能。

4. **LED驅(qū)動電路**:K20P04M1-VB 也適用于高功率LED驅(qū)動應用,能夠高效地驅(qū)動LED燈具,確保其亮度和穩(wěn)定性。廣泛應用于商業(yè)照明和汽車照明等領域。

這些應用實例展示了 K20P04M1-VB 的廣泛適用性,特別是在需要高電流和高效率的電源管理和控制系統(tǒng)中,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對性能和能效的嚴格要求。

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