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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK7611-55B-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK7611-55B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7611-55B-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

#### 產(chǎn)品簡介:
BUK7611-55B-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-263。這款 MOSFET 設(shè)計用于低電壓高電流應(yīng)用,能夠承受最大 60V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其門限電壓(Vth)為 3V,在 VGS = 10V 時,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 4mΩ,支持的連續(xù)漏極電流(ID)最高可達(dá) 150A。該器件采用 Trench 技術(shù),適用于高效的電力開關(guān)和管理應(yīng)用。

#### 詳細(xì)參數(shù):
- **封裝形式**:TO-263
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **門限電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:4mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:150A
- **技術(shù)**:Trench

#### 應(yīng)用實例:

1. **高功率開關(guān)電源**:
  BUK7611-55B-VB 適用于高功率開關(guān)電源中,其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在高功率開關(guān)應(yīng)用中具有優(yōu)異的性能。它可以提高開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。

2. **電機(jī)驅(qū)動**:
  在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,特別是需要高電流的應(yīng)用場景,BUK7611-55B-VB 提供了穩(wěn)定的開關(guān)能力。它的高電流承載能力確保電機(jī)在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  該 MOSFET 可以應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)中,尤其是在電動汽車的電池組中。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效管理電池的充電和放電過程。

4. **大功率 LED 驅(qū)動器**:
  在大功率 LED 驅(qū)動器中,BUK7611-55B-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高系統(tǒng)的整體效率和性能,從而減少能量損耗并提高照明效果。

5. **功率調(diào)節(jié)器**:
  在功率調(diào)節(jié)器應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠處理高電流和高功率需求,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,用于各種功率管理和調(diào)節(jié)場合。

6. **工業(yè)電源管理**:
  在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,BUK7611-55B-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于高效電力控制和管理,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

通過利用 BUK7611-55B-VB MOSFET 的優(yōu)良開關(guān)性能和高電流承載能力,可以在多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效、可靠的電力控制和管理。

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