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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK664R6-40C-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK664R6-40C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK664R6-40C-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品名稱**: BUK664R6-40C-VB

**封裝**: TO-263

**配置**: 單極N溝MOSFET

BUK664R6-40C-VB是一款高性能的N溝MOSFET,專為高電流和低導通電阻的應用設計。該MOSFET采用TO-263封裝,利用先進的Trench技術,提供極低的導通電阻和高電流處理能力,適合各種要求高效能和高可靠性的電子電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **V_DS(漏源電壓)**: 40V  
 MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。

- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V  
 MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。

- **V_th(柵極閾值電壓)**: 2.5V  
 使MOSFET開始導通所需的最小柵源電壓。

- **R_DS(ON)(漏源導通電阻)**:
 - 6mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 5mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在導通狀態(tài)下漏極與源極之間的電阻。較低的R_DS(ON)值表示更高的開關效率和較低的功率損耗。

- **I_D(連續(xù)漏極電流)**: 100A  
 MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流。

- **技術**: Trench  
 采用Trench技術,提供低導通電阻和高效性能。

### 應用領域

BUK664R6-40C-VB MOSFET適合多種高電流和高效能的應用場景:

1. **電源管理**:
  - **高電流電源開關**: 適用于高電流開關應用,如高效開關電源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以顯著減少功率損耗,提升系統(tǒng)整體效率。
  - **DC-DC轉換器**: 在DC-DC轉換器中提供高效的電力轉換和調(diào)節(jié),特別適用于需要處理大電流的場合。

2. **電機控制**:
  - **電動機驅動**: 在電動機驅動系統(tǒng)中,如工業(yè)電機驅動或電動汽車(EV)電機控制,能夠處理高達100A的電流,提供高效、可靠的開關性能。
  - **伺服電機**: 在精密伺服電機控制系統(tǒng)中,如機器人和自動化設備,提供穩(wěn)定的高電流控制。

3. **汽車應用**:
  - **電力分配系統(tǒng)**: 在汽車電力分配系統(tǒng)中處理高電流負載,確保電力系統(tǒng)的可靠性和高效性。
  - **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 提升混合動力和電動汽車中的電池管理系統(tǒng)性能,優(yōu)化高電流處理能力。

4. **消費電子**:
  - **電源供應單元(PSU)**: 適用于高功率消費電子產(chǎn)品中的電源供應單元,如高性能計算機和音響系統(tǒng),提供高效的電源管理。
  - **充電解決方案**: 在高電流充電應用中,如快速充電系統(tǒng)和高功率充電器,確保高效、可靠的充電過程。

BUK664R6-40C-VB以其低導通電阻和高電流處理能力,適合各種高功率和高效能的應用需求,確保系統(tǒng)的高效性和可靠性。

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