### 一、BUK664R4-55C-VB 產(chǎn)品簡介
BUK664R4-55C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 TO-263。這款 MOSFET 采用先進的 Trench 技術(shù)設(shè)計，具有 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規(guī)格。在 10V 的柵源電壓下，其導(dǎo)通電阻低至 4mΩ，并且能夠支持高達 150A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。BUK664R4-55C-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異，非常適合需要高電流和低導(dǎo)通損耗的場景。
### 二、BUK664R4-55C-VB 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產(chǎn)品型號 | BUK664R4-55C-VB | |
| 封裝 | TO-263 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 60 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3 | V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 4 (VGS = 10V) | mΩ |
| 柵極電流 (IG) | 100 | nA |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 150 | A |
| 瞬時脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 300 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 200 | W |
| 工作溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術(shù) | Trench | |
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
BUK664R4-55C-VB 的高電流處理能力和極低的導(dǎo)通電阻使其在多個領(lǐng)域和應(yīng)用中表現(xiàn)卓越，以下是幾個具體的應(yīng)用示例：
1. **電源管理**：在高功率開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，BUK664R4-55C-VB 可以作為高效的開關(guān)元件，低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗，提升電源轉(zhuǎn)換效率。這對于高性能電源供應(yīng)和節(jié)能設(shè)計至關(guān)重要。
2. **電動機控制**：由于其能夠處理高電流負載，這款 MOSFET 非常適用于電動汽車、電動工具和工業(yè)電動機驅(qū)動系統(tǒng)。它能實現(xiàn)高效的電機控制和精確調(diào)速，以滿足對高電流和高可靠性的要求。
3. **功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**：在工業(yè)功率轉(zhuǎn)換器和逆變器中，BUK664R4-55C-VB 可以處理大電流負載，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。它廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中，保證功率轉(zhuǎn)換的效率和穩(wěn)定性。
4. **電池管理系統(tǒng)**：在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中，該 MOSFET 能夠處理高電流負載，提供過流保護和電池切換功能。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力可以提高電池系統(tǒng)的安全性和性能，確保在各種工作條件下的穩(wěn)定運行。
這些應(yīng)用示例展示了 BUK664R4-55C-VB 在高電流處理、低導(dǎo)通損耗和高效開關(guān)的場景中的關(guān)鍵作用。
