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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK662R5-30C-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): BUK662R5-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2.3mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## BUK662R5-30C-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BUK662R5-30C-VB** 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET,采用 Trench 技術(shù),封裝形式為 TO263。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理中等電壓應(yīng)用,具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力。這使其在高功率和高效率的電子系統(tǒng)中表現(xiàn)卓越,特別是在需要高開(kāi)關(guān)速度和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)合。

## 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**:
 - 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

## 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**BUK662R5-30C-VB** 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高效電源管理**:由于其超低的導(dǎo)通電阻(2.3mΩ @ VGS = 10V)和高電流能力(150A),BUK662R5-30C-VB 非常適合用于高效的電源管理系統(tǒng),包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源供應(yīng)器。它能夠顯著降低功耗,提升系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電源系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電池和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率和安全性。

3. **工業(yè)應(yīng)用**:在工業(yè)電源和控制系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高功率開(kāi)關(guān)電源。其高電流容量和低導(dǎo)通電阻確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定和高效運(yùn)行。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在消費(fèi)電子產(chǎn)品如計(jì)算機(jī)、筆記本電腦和電視機(jī)的電源管理模塊中,BUK662R5-30C-VB 可以用于控制和優(yōu)化電源供應(yīng),提升產(chǎn)品的能效和性能。

總結(jié)來(lái)說(shuō),BUK662R5-30C-VB MOSFET 的 TO263 封裝、低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在電源管理、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和消費(fèi)電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色。其 Trench 技術(shù)確保在各種高功率和高效率應(yīng)用中提供可靠的性能。

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