動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:45

  石墨烯量子霍爾態(tài)中三階非線性霍爾效應(yīng)的首次實(shí)驗(yàn)觀測(cè)與機(jī)制解析

  

  量子霍爾效應(yīng)（QHE）是二維電子系統(tǒng)在強(qiáng)磁場(chǎng)下的標(biāo)志性現(xiàn)象，其橫向電阻（Rxy）呈現(xiàn)量子化平臺(tái)（h/(νe2)），而縱向電阻（Rxx）趨于零。傳統(tǒng)研究集中于線性響應(yīng)，高階非線性響應(yīng)在量子霍爾態(tài)（QHS）中的存在性長(zhǎng)期未被探索。經(jīng)典與量子體系中線性霍爾效應(yīng)及非線性霍爾效應(yīng)的示意圖本研究基于霍爾效應(yīng)測(cè)試儀HMS-3000的高精度測(cè)量能力，結(jié)合諧波檢測(cè)技術(shù)，在單層

  測(cè)量 電阻 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  消除接觸電阻的四探針改進(jìn)方法：精確測(cè)量傳感器薄膜方塊電阻和電阻率

  

  方塊電阻是薄膜材料的核心特性之一，尤其在傳感器設(shè)計(jì)中，不同條件下的方塊電阻變化是感知測(cè)量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會(huì)顯著影響測(cè)量精度，甚至導(dǎo)致非線性肖特基勢(shì)壘的形成，進(jìn)一步降低傳感器性能。傳統(tǒng)兩端子測(cè)量方法因接觸電阻難以控制或減小，導(dǎo)致系統(tǒng)誤差不可忽視。本文提出一種四探針改進(jìn)的四端子方法，通過多次電阻測(cè)量和簡(jiǎn)單代數(shù)計(jì)算并結(jié)合Xfilm埃利四探

  傳感器 接觸電阻 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  非接觸式發(fā)射極片電阻測(cè)量：與四探針法的對(duì)比驗(yàn)證

  

  發(fā)射極片電阻（Remitter）是硅太陽(yáng)能電池性能的核心參數(shù)之一，直接影響串聯(lián)電阻與填充因子。傳統(tǒng)方法依賴物理接觸或受體電阻率干擾，難以滿足在線檢測(cè)需求。本文提出一種結(jié)合渦流電導(dǎo)與光致發(fā)光（PL）成像的非接觸式測(cè)量技術(shù)，通過分離Remitter與體電阻（Rbulk），實(shí)現(xiàn)高精度、無(wú)損檢測(cè)。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，該方法與基于四點(diǎn)探針法（4pp）的Xfilm埃利在線四探

  電阻測(cè)溫 電阻率

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  面向硅基產(chǎn)線：二維半導(dǎo)體接觸電阻的性能優(yōu)化

  

  隨著硅基集成電路進(jìn)入后摩爾時(shí)代，二維過渡金屬硫化物（TMDCs，如MoS?、WS?）憑借原子級(jí)厚度、優(yōu)異的開關(guān)特性和無(wú)懸掛鍵界面，成為下一代晶體管溝道材料的理想選擇。然而，金屬電極與二維半導(dǎo)體間的接觸問題一直是制約其發(fā)展的核心障礙——接觸電阻過高（>800Ω·μm）、費(fèi)米能級(jí)釘扎（FLP）效應(yīng)嚴(yán)重、納米尺度接觸穩(wěn)定性不足，難以滿足先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)需求（IRDS標(biāo)

  半導(dǎo)體 接觸電阻 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  石墨烯超低方阻的實(shí)現(xiàn) | 霍爾效應(yīng)模型驗(yàn)證

  

  石墨烯因其高載流子遷移率（~200,000cm2/V·s）、低方阻和高透光性（~97.7%），在電子應(yīng)用領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，單層石墨烯的電學(xué)性能受限于表面摻雜效應(yīng)（如PMMA殘留或環(huán)境吸附物引起的p型摻雜）和襯底散射效應(yīng)。多層石墨烯（MLG）通過增加層數(shù)可提升機(jī)械穩(wěn)定性和電學(xué)性能，但其層間界面性質(zhì)（如載流子密度、遷移率分布）顯著影響整體性能。傳統(tǒng)理論認(rèn)為，M

  石墨烯 霍爾效應(yīng)

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:44

  NiCr薄膜電阻優(yōu)化：利用鋁夾層實(shí)現(xiàn)高方塊電阻和低溫度電阻系數(shù)

  

  隨著系統(tǒng)集成封裝（SIP）技術(shù)發(fā)展，嵌入式薄膜電阻需同時(shí)滿足高方塊電阻（>100Ω/sq）和近零電阻溫度系數(shù)（│TCR│當(dāng)tAl>7.5nm時(shí)，Al層成為主要導(dǎo)電通道，導(dǎo)致Rs下降。電阻溫度系數(shù)TCR調(diào)控：Al夾層使TCR隨tAl增加呈現(xiàn)“先降后升”趨勢(shì)，在tAl=7.5nm時(shí)達(dá)到最低值-6.61ppm/K（tNiCr=10nm，400℃退火）。退火工藝的界

  溫度電阻率 薄膜電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  半導(dǎo)體歐姆接觸工藝 | MoGe?P?實(shí)現(xiàn)超低接觸電阻的TLM驗(yàn)證

  

  二維半導(dǎo)體因其原子級(jí)厚度和獨(dú)特電學(xué)性質(zhì)，成為后摩爾時(shí)代器件的核心材料。然而，金屬-半導(dǎo)體接觸電阻成為限制器件性能的關(guān)鍵瓶頸。傳統(tǒng)二維半導(dǎo)體（如MoS?、黑磷）普遍存在高肖特基勢(shì)壘問題，導(dǎo)致載流子注入效率低下。近期發(fā)現(xiàn)的MoGe?P?單層因兼具高載流子遷移率（>103cm2V?1s?1）和適中間接帶隙（0.49eV），被視為理想溝道材料。本文通過第一性原理計(jì)算

  TLM 半導(dǎo)體 接觸電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  4H-SiC薄膜電阻在高溫MEMS芯片中的應(yīng)用 | 電阻率溫度轉(zhuǎn)折機(jī)制分析

  

  微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感器技術(shù)已廣泛應(yīng)用于汽車、醫(yī)療等領(lǐng)域，但在航空發(fā)動(dòng)機(jī)等極端高溫環(huán)境（>500℃）中，傳統(tǒng)硅基傳感器因材料限制無(wú)法使用。碳化硅（SiC）因其高溫穩(wěn)定性、高集成性成為理想替代材料，但其關(guān)鍵材料參數(shù)（如襯底熱膨脹系數(shù)、薄膜電阻溫度特性）缺乏系統(tǒng)研究，導(dǎo)致傳感器設(shè)計(jì)階段難以評(píng)估溫度效應(yīng)。本研究結(jié)合Xfilm埃利在線四探針方阻儀針對(duì)4H-SiC

  mems芯片 電阻率 薄膜電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  四探針薄膜測(cè)厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測(cè)量實(shí)踐

  

  平板顯示（FPD）制造過程中，薄膜厚度的實(shí)時(shí)管理是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)方法如機(jī)械觸針法、顯微法和光學(xué)法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材料等問題。本研究開發(fā)了一種基于四探針法的導(dǎo)電薄膜厚度測(cè)量?jī)x，其原理是通過將已知的薄膜材料電阻率除以方阻來(lái)確定厚度，并使用XFilm平板顯示在線方阻測(cè)試儀作為對(duì)薄膜在線方阻實(shí)時(shí)檢測(cè)，以提供數(shù)據(jù)支撐。旨在實(shí)現(xiàn)非破

  FPD 測(cè)厚 薄膜

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:43

  四探針法 | 測(cè)量射頻（RF）技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

  

  SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料，廣泛用于太陽(yáng)能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的SnO?:F薄膜為研究對(duì)象，通過鋁PAD法與四探針法開展表面電阻測(cè)量研究。Xfilm埃利四探針方阻儀憑借高精度檢測(cè)能力，可為此類薄膜電學(xué)性能測(cè)量提供可靠技術(shù)保障。下文將重點(diǎn)分析四探針法的測(cè)量原理、實(shí)驗(yàn)方法與結(jié)果，

  RF 電阻 薄膜

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