動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-08-04 14:53

  半導(dǎo)體濕法flush是什么意思

  

  在半導(dǎo)體制造中，“濕法flush”（WetFlush）是一種關(guān)鍵的清洗工藝步驟，具體含義如下：定義與核心目的字面解析：“Flush”意為“沖洗”，而“濕法”指使用液體化學(xué)品進(jìn)行操作。該過程通過噴淋或浸泡的方式，用去離子水（DIWater）或其他溶劑清除晶圓表面的殘留物（如光刻膠碎片、蝕刻劑副產(chǎn)物、顆粒污染物等）。主要作用：確保前一道工序后的有害物質(zhì)被徹底去除

  FLUSH 半導(dǎo)體 濕法

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• 發(fā)布了文章 2025-07-30 13:33

  光阻去除屬于什么制程

  

  光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型光刻流程為：涂膠→軟烘→曝光→硬烘→顯影→后烘→光阻去除核心目的：清除完成圖案轉(zhuǎn)移后剩余的光刻膠層，暴露出需要進(jìn)一步加工（如蝕刻、離子注入或金屬沉積）的芯片區(qū)域。承上啟下作用：連接前期的光刻圖案化與后續(xù)的材料

  光刻 半導(dǎo)體制造

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• 發(fā)布了文章 2025-07-30 13:25

  光阻去除工藝有哪些

  

  光阻去除工藝（即去膠工藝）是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在清除曝光后的光刻膠而不損傷底層材料。以下是主流的技術(shù)方案及其特點(diǎn)：一、濕法去膠技術(shù)1.有機(jī)溶劑溶解法原理：利用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮）、乳酸乙酯等強(qiáng)極性溶劑溶脹并溶解光刻膠分子鏈。適用于傳統(tǒng)g線/i線正膠體系。優(yōu)勢(shì)：成本低、設(shè)備簡(jiǎn)單；可配合噴淋或浸泡模式批量處理。局限：對(duì)新型化學(xué)放大型抗蝕劑（C

  LED光阻劑 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-07-29 11:10

  半導(dǎo)體清洗機(jī)循環(huán)泵怎么用

  

  半導(dǎo)體清洗機(jī)的循環(huán)泵是確保清洗液高效流動(dòng)、均勻分布和穩(wěn)定過濾的核心部件。以下是其正確使用方法及關(guān)鍵注意事項(xiàng)：一、啟動(dòng)前準(zhǔn)備系統(tǒng)檢漏與排氣確認(rèn)所有連接管路無松動(dòng)或泄漏（可用肥皂水涂抹接口檢測(cè)氣泡）；打開泵體頂部的手動(dòng)排氣閥，向入口側(cè)注入高純DI水直至出水口連續(xù)流出無氣泡為止，排除空氣避免氣蝕現(xiàn)象。參數(shù)預(yù)設(shè)匹配工藝需求根據(jù)清洗配方設(shè)定流量范圍（通常5–20L/m

  半導(dǎo)體 清洗機(jī)

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• 發(fā)布了文章 2025-07-29 11:05

  半導(dǎo)體清洗機(jī)氮?dú)庠趺磁?/a>

  

  半導(dǎo)體清洗機(jī)中氮?dú)馀欧诺南到y(tǒng)化解決方案，涵蓋安全、效率與工藝兼容性三大核心要素：一、閉環(huán)回收再利用系統(tǒng)通過高精度壓力傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)腔室內(nèi)氮?dú)鉂舛?，?dāng)達(dá)到設(shè)定閾值時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)循環(huán)模式。采用活性炭吸附柱對(duì)排出氣體進(jìn)行純化處理，去除微量水分及揮發(fā)性有機(jī)物后，經(jīng)冷干機(jī)進(jìn)一步脫水，最終通過變頻壓縮機(jī)重新壓回儲(chǔ)氣罐。此設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)95%以上的氮?dú)饣厥章?，顯著降低運(yùn)行成本。關(guān)

  半導(dǎo)體 氮?dú)?/a> 清洗機(jī)

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-23 15:06

  半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī) 芯矽科技

  

  產(chǎn)品型號(hào)：bdtcsbqxj 非標(biāo)定制：根據(jù)客戶需求定制

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-07-23 15:01

  多槽式清洗機(jī) 芯矽科技

  

  產(chǎn)品型號(hào)：dcsqxj 非標(biāo)定制：根據(jù)客戶需求定制

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• 發(fā)布了文章 2025-07-23 14:41

  晶圓清洗用什么氣體最好

  

  在晶圓清洗工藝中，選擇氣體需根據(jù)污染物類型、工藝需求和設(shè)備條件綜合判斷。以下是對(duì)不同氣體的分析及推薦：1.氧氣（O?）作用：去除有機(jī)物：氧氣等離子體通過活性氧自由基（如O*、O?）與有機(jī)污染物（如光刻膠殘留）發(fā)生氧化反應(yīng)，生成CO?和H?O等揮發(fā)性物質(zhì)1。表面活化：增強(qiáng)晶圓表面親水性，為后續(xù)工藝（如CVD）提供更好的附著力3。優(yōu)勢(shì)：高效去除有機(jī)污染，適用于光

  晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-07-23 14:32

  晶圓清洗工藝有哪些類型

  

  晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓清洗工藝可分為以下幾類：1.濕法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：將多片晶圓（通常25-50片）放入化學(xué)槽中，依次浸泡

  半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-07-22 16:54

  晶圓清洗后表面外延顆粒要求

  

  晶圓清洗后表面外延顆粒的要求是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵質(zhì)量控制指標(biāo)，直接影響后續(xù)工藝（如外延生長(zhǎng)、光刻、金屬化等）的良率和器件性能。以下是不同維度的具體要求和技術(shù)要點(diǎn)：一、顆粒污染的核心要求顆粒尺寸與數(shù)量小尺寸晶圓（2-6英寸）：允許顆粒尺寸通?！?μm，數(shù)量控制在＜1000顆/cm2（具體取決于工藝節(jié)點(diǎn)）。部分應(yīng)用（如功率器件）可接受更低標(biāo)準(zhǔn)，但需避免肉眼可見污

  半導(dǎo)體制造

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