動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-03 13:22

  一文了解硫化氫試驗（H2S）

  

  應用原理當產(chǎn)品在大氣中使用時，大氣環(huán)境會導致產(chǎn)品金屬表面形成水膜，而大氣中存在的硫化氫、二氧化硫、二氧化氮、氯氣等有害氣體會溶入金屬表面的水膜中，產(chǎn)生腐蝕性離子加速腐蝕的發(fā)生。近年來，環(huán)境的不斷惡化，使得腐蝕的發(fā)生幾率大大增加，每年電子、電器、通訊、計算機、LED等行業(yè)都因為產(chǎn)品在大氣中被腐蝕而損失慘重。為了減少損失，各行業(yè)積極應對，致力于提高產(chǎn)品的耐腐蝕性

  H2S氣體 led

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• 發(fā)布了文章 2025-08-29 16:06

  高亮度LED具有什么特性?控制LED的方法有哪些?

  

  采用高亮度LED照明將成為未來汽車的主要特征，這歸功于LED相對于傳統(tǒng)的白熾光照明方案所具有的許多基本優(yōu)勢。此外，采用LED照明也可帶動汽車設計技術和設計風格上的變化。然而，正像任何創(chuàng)新技術一樣，LED在被廣泛用于汽車照明之前，仍需要克服許多困難。關鍵特性1.可靠性與使用壽命：LED的預期使用壽命為5萬個小時，而鹵鎢燈為2萬個小時，鎢白熾燈為3千個小時。相對

  led 控制 汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:42

  三防測試——電子產(chǎn)品的可靠性檢測

  

  在電子產(chǎn)品的設計和制造過程中，確保其能夠在各種惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運行是至關重要的。三防試驗，包括濕熱試驗、霉菌試驗和鹽霧試驗，正是為了模擬這些極端條件而設計的，用以評估電子產(chǎn)品的環(huán)境耐受性。這些測試對于保證產(chǎn)品在實際應用中的長期穩(wěn)定性和可靠性至關重要，尤其是在要求極高的軍事和航空航天領域。1.濕熱試驗：該試驗用于評估電工、電子及其他產(chǎn)品及材料在經(jīng)歷高溫、低溫、交

  測試 濕熱試驗箱 電子產(chǎn)品

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• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:38

  聚焦離子束（FIB）技術分析

  

  聚焦離子束技術（FIB）聚焦離子束技術（FocusedIonbeam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束技術（FIB）利用高強度聚焦離子束對材料進

  fib 離子束

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• 發(fā)布了文章 2025-08-28 10:37

  五大常見電子元器件的失效全解析

  

  電子設備中絕大部分故障最終都可溯源至元器件失效。熟悉各類元器件的失效模式，往往僅憑直覺就能鎖定故障點，或僅憑一次簡單的電阻、電壓測量即可定位問題。電阻器類電阻器家族包括固定電阻與可變電阻（電位器），在整機中數(shù)量龐大且持續(xù)耗能，其引發(fā)的故障約占總故障的15%。統(tǒng)計表明，其中85%～90%為斷路、機械損傷、短路、絕緣擊穿等致命失效，僅約10%源于阻值漂移。1.材

  元器件 電子元器件 電子設備

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• 發(fā)布了文章 2025-08-27 15:04

  HALT實驗與HASS實驗在可靠性測試中的區(qū)別

  

  什么是HALT試驗？HALT（HighlyAcceleratedLifeTest）的全稱是高加速壽命試驗。HALT是一種通過施加逐級遞增的環(huán)境應力或工作載荷，來加速暴露產(chǎn)品的缺陷和薄弱點的試驗方法。主要應用于產(chǎn)品開發(fā)階段，它能以較短的時間促使產(chǎn)品的設計和工藝缺陷暴露出來，從而為我們做設計改進，提升產(chǎn)品可靠性提供依據(jù)。金鑒實驗室作為專注于可靠性領域的科研檢測機

  HALT HASS 可靠性測試

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• 發(fā)布了文章 2025-08-27 14:59

  CDM試驗對電子器件可靠性的影響

  

  在電子器件制造和應用中，靜電放電（ESD）是一個重要的可靠性問題。CDM（帶電器件模型）試驗是評估電子器件在靜電放電環(huán)境下的敏感度和可靠性的重要手段。通過CDM試驗，可以有效識別器件在制造、運輸和使用過程中可能面臨的靜電放電風險，從而優(yōu)化產(chǎn)品設計，提高其在實際應用中的穩(wěn)定性和可靠性。檢測服務涵蓋靜電放電（ESD）測試、可靠性測試、失效分析以及AEC-Q系列認

  CDM 電子器件 靜電放電

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• 發(fā)布了文章 2025-08-27 14:58

  微量摻雜元素在半導體器件發(fā)展中的作用

  

  微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導體的能帶結構和載流子行為，從而決定器件的電學特性。以硅材料為例，摻入五價砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉變?yōu)閚型半導體，直接影響導電類型與載流子濃度。通過對摻雜種類、含量及分布形態(tài)的精確分析，可實現(xiàn)器件導電性能的定向設計，例如提升晶體管開關速度、降低功耗。在光電器件中，微量摻雜同樣具有關鍵作用

  GaN 光電器件 半導體器件

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• 發(fā)布了文章 2025-08-26 15:22

  晶須生長試驗-電子元件可靠性驗證的重要手段

  

  晶須是一種在金屬材料中形成的細長絲狀晶體，這種微小結構可能在電子或電氣產(chǎn)品中出現(xiàn)。晶須的形成通常與金屬晶體的非均勻擴張有關，可能由應力或其他外部因素引起。錫、鎘、鋅等金屬是容易產(chǎn)生晶須的典型材料，其中錫晶須尤為常見。晶須的存在可能對電子產(chǎn)品的性能和可靠性產(chǎn)生負面影響，因此在電子制造過程中，控制和預防晶須的形成顯得尤為重要。晶須的成因與影響晶須的形成過程通常涉

  晶體 電子元件 錫須

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• 發(fā)布了文章 2025-08-26 15:20

  聚焦離子束（FIB）在材料分析的應用

  

  FIB是聚焦離子束的簡稱，由兩部分組成。一是成像，把液態(tài)金屬離子源輸出的離子束加速、聚焦，從而得到試樣表面電子像（與SEM相似）；二是加工，通過強電流離子束剝離表面原子，從而完成微，納米級別的加工。FIB主要功能1.微納米級截面加工FIB可以精確地在器件的特定微區(qū)進行截面觀測，同時可以邊加工刻蝕、邊利用SEM實時觀察樣品。截面分析是FIB最常見的應用。這種刻

  fib 材料 離子束

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