動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-08-18 17:05

  淺談制氫電源及英飛凌解決方案

  

  大家對(duì)氫元素肯定都不陌生，認(rèn)識(shí)它基本都是從背元素周期表開始的。近年來我們身邊多了很多氫的身影，從北京冬奧會(huì)的氫燃料電池大巴，再到廣州南沙小虎島電氫智慧能源站，氫也越來越被大家熟知。工業(yè)上，氫的使用可是一點(diǎn)都不少，自1975年以來，需求量增長了三倍，而且還在繼續(xù)增長。然而，氫氣生產(chǎn)目前幾乎全部由化石燃料供應(yīng)，消耗了全球約6%的天然氣和2%的煤炭。據(jù)估計(jì)，目前全

  智慧能源 電源 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-08-16 08:33

  釋放電力的自由：無線電能傳輸大揭秘

  

  作者簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來自香港科技大學(xué)劉昶的投稿。在電子產(chǎn)品深刻改變?nèi)祟惿a(chǎn)生活方式的今天，大家對(duì)于無線充電技術(shù)早已不陌生，日?？梢越佑|到的消費(fèi)類電子產(chǎn)品諸如手機(jī)、電動(dòng)牙刷都可以使用，但你有沒有想過為什么這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)在才開始流行，它背后有哪些原理與奇妙的現(xiàn)象，已經(jīng)被用在了哪些你可能不太熟悉的場景，未來又會(huì)怎樣改變我們的生活呢？本文

  無線電能 電力 電磁

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• 發(fā)布了文章 2025-08-15 17:34

  PCIM2025論文摘要 | 針對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用(ESS)的優(yōu)化驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)策略

  

  本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布1簡介本文介紹了一種用于儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）的自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化策略，以應(yīng)對(duì)過載可靠性和運(yùn)行效率方面的挑戰(zhàn)。通過根據(jù)實(shí)時(shí)負(fù)載條件動(dòng)態(tài)調(diào)整柵極電阻（Rgon/Rgoff），該策略在正常運(yùn)行期間實(shí)現(xiàn)了開關(guān)損耗最小化，同時(shí)在過載條件下（額定電流的1.5至3倍）抑制了電壓應(yīng)力并提高了可靠性。所提出的方法已在215

  ess 儲(chǔ)能系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2025-08-14 17:03

  數(shù)據(jù)為王，硬核開講丨2025 IPAC英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)倒計(jì)時(shí)4天！

  

  一年一度的英飛凌零碳工業(yè)應(yīng)用技術(shù)大會(huì)（IPAC）下周二震撼啟幕！用數(shù)據(jù)說話，以硬核案例破解行業(yè)難題！核心亮點(diǎn)搶先劇透CoolSiCMOSFETG2設(shè)計(jì)全攻略光儲(chǔ)應(yīng)用：選型黃金標(biāo)準(zhǔn)+結(jié)溫&EMI關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)充電模塊：功率段精準(zhǔn)匹配+效率提升技巧：實(shí)戰(zhàn)技巧：死區(qū)時(shí)間與驅(qū)動(dòng)電阻如何優(yōu)化最新產(chǎn)品解決方案首發(fā)最新EasyHD封裝方案優(yōu)勢對(duì)比開關(guān)損耗銳減秘籍逆變工況下仿

  英飛凌 零碳城市

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• 發(fā)布了文章 2025-08-11 17:04

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展

  

  新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展CoolSiC1200VMOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于電動(dòng)汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態(tài)斷路器（SSCB）、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能（AI）及網(wǎng)聯(lián)自動(dòng)駕駛汽車（CAV）等領(lǐng)域。Q-DPAK封裝通過簡化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶

  MOSFET SiC 分立器件

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• 發(fā)布了文章 2025-08-09 08:33

  手機(jī)的200W快充是如何實(shí)現(xiàn)的？

  

  來自上?？萍即髮W(xué)李澤暉的投稿。你是否還記得你的第一部手機(jī)？我的第一部手機(jī)功能不多，反應(yīng)遲鈍，樣子也不太好看，各方面都不如現(xiàn)在手邊的這位。無線通信技術(shù)的快速發(fā)展推動(dòng)了智能手機(jī)的更新?lián)Q代，電力電子技術(shù)也在這一進(jìn)程中扮演了極重要的角色。當(dāng)我們回顧手機(jī)的發(fā)展歷程時(shí)，充電速度無疑是其中一項(xiàng)令人矚目的進(jìn)步。從最初的“5V1A”到

  充電 快充 手機(jī)快充

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• 發(fā)布了文章 2025-08-07 17:06

  新品 | 英飛凌CoolSiC™ 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管

  

  新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝，可實(shí)現(xiàn)高效緊湊設(shè)計(jì)，具有增強(qiáng)的魯棒性和可靠性。該產(chǎn)品通過了雪崩測試驗(yàn)證，電流等級(jí)高達(dá)150A，采用.XT擴(kuò)散焊技術(shù)，擁有豐富的產(chǎn)品組合。產(chǎn)品型號(hào)：■IDWD50G120C5■IDWD60G120C5■IDWD75G120C5■IDWD150G12

  二極管 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-08-05 17:04

  LLC輕載下輸出特性分析及保持輸出電壓可控的解決方案

  

  摘要LLC拓?fù)鋸V泛應(yīng)用于各種功率轉(zhuǎn)換設(shè)備中，然而LLC拓?fù)湓谳p載及空載情況下，即使工作頻率范圍很寬，往往仍然出現(xiàn)輸出電壓超出規(guī)格要求的現(xiàn)象。本文從理論上對(duì)引起該問題的原因進(jìn)行了深入分析，證明變壓器原邊等效并聯(lián)電容和原邊MOSFET的輸出電容時(shí)造成該問題的根本原因，并針對(duì)根因提出了減小等效電容，原邊MOSFET并聯(lián)電容，諧振電感并聯(lián)電容，增加變壓器原副邊匝比，

  LLC 變換器 電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-08-04 18:10

  新品 | EconoDUAL™ 3 IGBT 7 1700V 900A半橋模塊帶EC8二極管

  

  新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半橋模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半橋模塊實(shí)現(xiàn)可再生能源轉(zhuǎn)換效率最大化，助力脫碳進(jìn)程產(chǎn)品型號(hào)：■FF900R17ME7C框圖產(chǎn)品特點(diǎn)持續(xù)運(yùn)行工況Tvj(op)max175℃功率端子載流能力提升，輸出電流900A集成1700VEmCon8MePo二極管3.4

  IGBT 二極管 再生能源

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• 發(fā)布了文章 2025-08-01 17:05

  英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

  

  【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車充電

  MOSFET 工業(yè) 英飛凌

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