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企業(yè)號介紹

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英飛凌工業(yè)半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-11-07 13:21

    英飛凌攜手SolarEdge共同推進AI數(shù)據(jù)中心高效電力基礎設施的發(fā)展

    英飛凌攜手SolarEdge,推動面向人工智能(AI)及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的新一代高效固態(tài)變壓器(SST)技術發(fā)展。全新的固態(tài)變壓器(SST)專為實現(xiàn)在中壓至800–1500伏直流電(DC)轉換而設計,其轉換效率超過99%,同時減小設備體積、降低重量,并有效減少了碳排放足跡。此次合作將SolarEdge在直流電(DC)領域的專業(yè)技術與英飛凌的半導體創(chuàng)新相結合,
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  • 發(fā)布了文章 2025-11-05 17:06

    ANPC拓撲調制策略特點及損耗分析 (上)

    ANPC(ActiveNeutralPointClamped)拓撲即有源中點鉗位技術,是基于NPC型三電平拓撲改進而來,最早提出是用來克服NPC三電平拓撲損耗分布不均勻和中點電位問題。從結構上看,ANPC是將NPC1的鉗位二極管替換為IGBT與二極管反并聯(lián)鉗位的結構,與NPC1一樣可以實現(xiàn)三電平輸出以降低諧波,且器件耐壓和NPC1相同。通過增加兩個IGBT,
  • 發(fā)布了文章 2025-11-03 18:18

    新品 | 第五代CoolGaN™ 650-700V氮化鎵功率晶體管G5

    新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現(xiàn)高頻工況下的效率提升,并滿足最高質量標準,能夠打造具有超高效率的高可靠性設計。該系列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本,專為各種工業(yè)與消費類應用中的最優(yōu)散熱性能而設計。產品型號:■IGD70R500D2■IGD7
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  • 發(fā)布了文章 2025-10-29 17:02

    英飛凌推出采用全新 EasyPACK™ C 封裝的碳化硅功率模塊,助力提升工業(yè)應用的能效與使用壽命

    【2025年10月29日,德國慕尼黑訊】工業(yè)領域中的快速直流電動汽車(EV)充電、兆瓦級充電、儲能系統(tǒng),以及不間斷電源設備,往往需要在嚴苛環(huán)境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFN
  • 發(fā)布了文章 2025-10-27 17:03

    英飛凌IPOSIM平臺加入基于SPICE的模型生成工具,助力提升系統(tǒng)級仿真精度

    【2025年10月27日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出的英飛凌功率仿真平臺(IPOSIM)被廣泛用于計算功率模塊、分立器件及盤式器件的損耗與熱特性。目前,該平臺已集成一款基于SPICE(電路仿真程序)的模型生成工具,可將外部電路和柵極驅動器選型納入系統(tǒng)級仿真。該工具通過充分考慮器件的非線性半導體物理特
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  • 發(fā)布了文章 2025-10-23 17:05

    IGBT模塊工作環(huán)境溫濕度條件解析

    在散熱器上安裝的IGBT模塊并非密封設計,盡管芯片上方有一層硅膠,但是水汽仍然可以通過外殼間隙以及硅膠進入器件芯片內部。因此,器件在使用和存儲過程中,必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數(shù)IGBT模塊允許工作的溫濕度以及氣候條件遵循IEC60721-3-3規(guī)定,為使客戶更加了解IGBT的使用環(huán)境條件,本文主要介紹溫度以及濕度運行條件。IEC60721-3-3
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  • 發(fā)布了文章 2025-10-20 17:33

    新品 | 用于熱泵的帶變頻器的 Econo PFC

    新品用于熱泵的帶變頻器的EconoPFC首個集成了維也納PFC和壓縮機變頻器的熱泵應用一體化模塊解決方案。采用最新的IGBT7芯片技術,采用成熟的Econo2封裝。產品型號:■FP35R12N2T7_B67產品特點TRENCHSTOPIGBT7技術集成維也納PFC和壓縮機變頻器一體化解決方案,使用方便,設計緊湊成熟的Econo2封裝應用價值一體化解決方案,使
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  • 發(fā)布了文章 2025-10-17 18:28

    英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

    【2025年10月17日,德國慕尼黑訊】電動汽車充電、電池儲能系統(tǒng),以及商用、工程和農用車輛(CAV)等大功率應用場景,正推動市場對更高系統(tǒng)級功率密度與效率的需求,以滿足日益提升的性能預期。同時,這些需求也帶來了新的設計挑戰(zhàn),例如,如何在嚴苛環(huán)境條件下實現(xiàn)可靠運行,在應對瞬態(tài)過載時如何保持穩(wěn)定性,以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應對這些挑戰(zhàn),全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網
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  • 發(fā)布了文章 2025-10-15 18:33

    新品 | 適用于10kW以下三相B6逆變器的評估板設計

    新品適用于10kW以下三相B6逆變器的評估板設計EVAL_10kW_B6_SiC400V使用帶有隔離柵極驅動器的B6逆變器來驅動電機,支持高達10kW的ACIM和PMSM。它采用B6配置的CooISiCMOSFET400VG2,可進行功率級別微調。該套件包括一塊電源板、一塊電容器板和一塊柵極驅動器板,使設計人員和研究人員能夠在工作設置中對其進行評估,并根據(jù)他
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  • 發(fā)布了文章 2025-10-13 18:06

    新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

    新品CIPOSMaxi1200V碳化硅SiCIPMIM12SxxEA2系列高性能CIPOSMaxi轉模封裝SiCIPMIM12SxxEA2系列基于1200VCooSiCMOSFET技術。產品組合包括60mΩ和90mΩ,提供兩種新產品:IM12S60EA2和IM12S90EA2。該系列集成了6個CoolSiCMOSFET和一個優(yōu)化的1200V6通道SOI柵極驅
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企業(yè)信息

認證信息: 英飛凌工業(yè)半導體

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