動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-09-29 08:01

  如何打開XR的三個“枷鎖”

  

  如果有一個科技產(chǎn)品，讓科技從業(yè)者們又愛又恨的話，XR（虛擬現(xiàn)實VR、增強現(xiàn)實AR和混合現(xiàn)實MR）可以當(dāng)之無愧地排在第一。愛的是，XR直擊人類的信息需求。人類獲取的信息中85%是通過視覺，改變視覺交互的產(chǎn)品，往往都能成功，比如雜志、電視、電影、短視頻等等。而且無論虛擬現(xiàn)實還是增強現(xiàn)實，都可以滿足人們希望突破空間

  AR眼鏡 XR 虛擬現(xiàn)實

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• 發(fā)布了文章 2024-09-27 08:03

  國貨當(dāng)自強！晟鵬氮化硼高導(dǎo)熱材料通過美國與加拿大UL認證

  

  近日，廣東晟鵬科技有限公司（以下簡稱：晟鵬科技）導(dǎo)熱材料產(chǎn)品順利通過美國與加拿大UL認證，本次認證是公司對產(chǎn)品品質(zhì)與安全性追求的體現(xiàn)，也是公司戰(zhàn)略開拓發(fā)展全球市場的重要一環(huán)。UL證書UL是美國保險商試驗所（UnderwritersLaboratoriesInc.）的簡寫。UL安全試驗所是美國最有權(quán)威的，也是世界上從事安全試驗和鑒定的較大一個獨立的、營利的、為

  ul認證 導(dǎo)熱材料 氮化硼

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• 發(fā)布了文章 2024-09-26 08:04

  全球最具潛力的前沿材料30種 | 5G毫米波絕緣透波氮化硼散熱膜

  

  新材料是指新近發(fā)展或正在發(fā)展的具有優(yōu)異性能的結(jié)構(gòu)材料和有特殊性質(zhì)的功能材料。目前，前沿新材料主要包括硼墨烯材料、過渡金屬硫化物、4D打印材料、仿生塑料等，加快布局前沿新材料已成為我國的重大戰(zhàn)略之一。小編為大家整理了全球30大最具潛力的前沿新材料，一起來看看它們對我們未來的生活會有哪些影響吧。△30大前沿材料分類表01全息膜簡介：全息膜實際上一種綜合衍射圖(h

  5G 毫米波 氮化硼

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• 發(fā)布了文章 2024-09-24 08:02

  低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

  

  一、前言隨著電動汽車的發(fā)展，汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動汽車構(gòu)建模塊的首選技術(shù)?；谔蓟璧哪孀兤骺墒垢哌_800V的電氣系統(tǒng)顯著延長EV續(xù)航里程并將充電時間減半。據(jù)行業(yè)研究公司IHSMarkit的數(shù)據(jù)，到2025年，全球高達45%的汽車生產(chǎn)將實現(xiàn)電氣化，每年將售出約4600萬輛電動

  MOSFET 低功耗 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-09-22 08:01

  電路板熱設(shè)計和熱仿真的關(guān)系

  

  一.熱設(shè)計的重要性電源產(chǎn)品電子設(shè)備在工作期間所消耗的電能，除了有用功外，大部分轉(zhuǎn)化成熱量散發(fā)。電子設(shè)備產(chǎn)生的熱量，使內(nèi)部溫度迅速上升，如果不及時將該熱量散發(fā)，設(shè)備會繼續(xù)升溫，器件就會因過熱失效，電子設(shè)備的可靠性將下降。SMT使電子設(shè)備的安裝密度增大，有效散熱面積減小，設(shè)備溫升嚴重地影響可靠性，因此，對熱設(shè)計的研究顯得十分重要。二.印制電路板溫升因素分析引起印

  熱仿真 熱設(shè)計 電路板

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• 發(fā)布了文章 2024-09-20 08:04

  電子封裝 | Die Bonding 芯片鍵合的主要方法和工藝

  

  DieBound芯片鍵合，是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細介紹一下幾種主要的芯片鍵合的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導(dǎo)體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型，即傳統(tǒng)方法和先進方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接和電線連接，而先進的方法包括IBM在60年代末開發(fā)的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結(jié)合了模具鍵合和導(dǎo)線鍵合的方法，是通過

  東芯半導(dǎo)體 電子封裝 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-09-20 08:04

  動力電池TIM熱管理材料 | 氮化硼耐高溫高導(dǎo)熱絕緣片

  

  電池問題是新能源汽車起火的最大原因。新能源車的電池受到了外部刺激帶來的壓力后，變形增壓或升溫，并隨之會發(fā)生熱失控，進而引發(fā)自燃和爆炸。根據(jù)新能源汽車國家大數(shù)據(jù)聯(lián)盟的數(shù)據(jù)，已查明著火原因的車輛中，58%車輛起火源于電池問題，19%車輛起火源于碰撞問題，還有部分車輛的起火原因源于浸水、零部件故障、使用問題等原因。新能源車電池的最適宜工作溫度在10-30℃之間。低

  Tim 動力電池 熱管理

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• 發(fā)布了文章 2024-09-18 08:02

  DBC陶瓷基板 | 氮化硼耐高溫高導(dǎo)熱絕緣片

  

  隨著電子技術(shù)的發(fā)展，芯片的集成度不斷提高，電路布線也越來越細。因此，每單位面積的功耗增加，導(dǎo)致發(fā)熱增加和潛在的設(shè)備故障。直接粘合銅（DBC）陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性而成為重要的電子封裝材料，特別是在功率模塊（IGBT）和集成電力電子模塊中。直接敷銅陶瓷基板（DBC）由陶瓷基片與銅箔在高溫下（1065℃）共晶燒結(jié)而成，最后根據(jù)布線要求，以刻蝕方式形成線

  DBC 導(dǎo)熱 絕緣 陶瓷基板

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• 發(fā)布了文章 2024-09-16 08:02

  碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

  

  SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV，而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似，但它們明顯高于硅的帶隙。硅的帶隙僅為1.1eV，比氮化鎵和碳化硅小三倍。這些化合物的較高帶隙允許氮化鎵和碳化硅舒

  GaN SiC 氮化鎵 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-09-15 08:03

  IGBT主動散熱和被動散熱 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

  

  摘要：隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進，熱產(chǎn)生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。因此，對IGBT模塊的溫度進行有效地檢測和管理是十分重要的環(huán)節(jié)。綜述了IGBT模塊的研究現(xiàn)狀、研究熱點以及散熱相關(guān)技術(shù)，主要介紹了主動散熱和被動散熱

  IGBT 晶體管 絕緣片

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