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什么是晶圓切割與框架內(nèi)貼片

中科院半導體所 ? 來源:學習那些事 ? 2025-11-05 17:06 ? 次閱讀
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文章來源:學習那些事

原文作者:小陳婆婆

本文主要講述什么是晶圓切割與框架內(nèi)貼片。

半導體制造的精密工藝鏈條中,芯片切割作為晶圓級封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其技術(shù)演進與設(shè)備精度直接關(guān)系到芯片良率與性能表現(xiàn);框架內(nèi)貼片作為連接芯片與封裝體的核心環(huán)節(jié),其技術(shù)實施直接影響器件的電性能、熱管理及可靠性表現(xiàn)。

晶圓切割

半導體制造的精密工藝鏈條中,芯片切割作為晶圓級封裝的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其技術(shù)演進與設(shè)備精度直接關(guān)系到芯片良率與性能表現(xiàn)。

當前主流切割設(shè)備以金剛石鋸切與激光切割兩大技術(shù)路徑為核心,前者憑借含人造金剛石顆粒的超薄圓形刀片實現(xiàn)物理切割,切割道寬度約100微米,即劃線區(qū)域,其切割精度可達頭發(fā)絲直徑的1/10——以人類頭發(fā)約50-70微米直徑計,此精度相當于將單根發(fā)絲垂直分割為10等份,確保芯片分離時邊緣整齊無崩邊。

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圖 背面研磨

為達成此精度,晶圓需預先進行背面研磨工藝:直徑300毫米的原始晶圓厚度從0.775毫米減薄至0.3毫米甚至更薄,此舉不僅降低封裝高度、減少硅襯底電阻,更便于后續(xù)切割分離。研磨過程中,晶圓表面覆蓋保護膠帶并通過真空吸附固定于吸盤臺,背面采用人造金剛石磨輪進行精密研磨,確保厚度均勻性。

進入切割階段,研磨后的晶圓需貼附于特殊紫外線(UV)膠帶上——此類膠帶經(jīng)紫外線照射后黏合強度顯著降低,便于后續(xù)芯片分離。

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圖 切割工藝

晶圓整體固定于框架后,切割機沿垂直與水平排列的芯片間劃線進行精準切割。除傳統(tǒng)金剛石鋸切外,激光切割機作為替代方案,通過高能量激光束實現(xiàn)非接觸式切割,有效避免刀片磨損帶來的精度波動,同時適用于超薄晶圓及易碎材料切割,成為近年來技術(shù)突破的重要方向。例如,皮秒激光切割技術(shù)通過超短脈沖實現(xiàn)冷加工,減少熱影響區(qū),提升切割邊緣質(zhì)量,已逐步應用于先進制程芯片的制造。

切割完成后,需通過特殊夾具拉伸紫外線膠帶,利用膠帶彈性形變使切割后的芯片間形成間隙,實現(xiàn)物理分離。此時照射紫外線觸發(fā)膠帶光化學反應,降低黏合強度,便于芯片從膠帶上剝離,此過程既保護芯片免受機械損傷,又提升取片效率。最終階段需借助顯微鏡進行外觀檢測,篩選出存在缺邊、劃痕等缺陷的芯片,同時剔除晶圓檢驗階段已標記的不合格芯片,確保進入下一道工序的芯片均滿足質(zhì)量標準。

當前行業(yè)技術(shù)發(fā)展正聚焦于切割精度提升與自動化集成。例如,采用人工智能視覺系統(tǒng)的切割設(shè)備可實時監(jiān)測切割路徑,動態(tài)調(diào)整切割參數(shù),將劃線偏差控制在亞微米級;而5G物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的融合,推動切割設(shè)備向智能化、遠程運維方向發(fā)展,實現(xiàn)生產(chǎn)數(shù)據(jù)的實時采集與分析,進一步提升良率控制能力。

此外,新型復合膠帶材料的研發(fā),如具備自修復功能的UV膠帶,正逐步解決傳統(tǒng)膠帶在剝離過程中可能產(chǎn)生的芯片粘連問題,為超精密切割提供更可靠的工藝保障。這些技術(shù)進步共同推動著芯片切割工藝向更高精度、更高效率、更低缺陷率的方向持續(xù)演進。

貼裝工藝

當前主流貼裝工藝以樹脂貼裝、共晶貼裝及金片貼裝三大技術(shù)路徑為核心,均需在嚴格環(huán)境控制下實現(xiàn)芯片與引線框架的精準固定。

以模具封裝為例,貼片機通過真空吸盤從紫外線膠帶上逐個拾取合格芯片,將其精確放置于引線框架中心已灌封的銀漿之上——該銀漿需經(jīng)250℃高溫固化,通過導電銀漿的粘接實現(xiàn)芯片與框架的電氣與機械連接,此即樹脂貼裝工藝。此類工藝廣泛應用于消費級芯片封裝,其優(yōu)勢在于工藝成熟、成本可控,且可通過自動化設(shè)備實現(xiàn)高精度貼裝。

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圖 樹脂貼裝法

對于高可靠性需求場景,如陶瓷封裝芯片,共晶貼裝工藝則成為首選。

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圖 共晶貼裝和金片貼裝

該工藝需將引線框架中心升溫至約400℃,在氮氣保護環(huán)境下將芯片直接壓合于鍍金框架表面,利用金-硅共晶反應形成低電阻、低熱阻的界面連接,有效降低芯片與封裝體間的熱應力,提升器件在高溫、高濕等惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性。而金片貼裝工藝則通過插入金片并施加摩擦,促使芯片背面與框架形成金-硅共晶鍵合,同樣需在氮氣環(huán)境中完成以避免金屬氧化,該工藝尤其適用于對熱阻要求嚴苛的高功率芯片封裝。

當前行業(yè)技術(shù)發(fā)展正聚焦于貼裝精度提升與工藝智能化。全自動貼片機已普遍集成攝像頭視覺系統(tǒng)與機器人搬運模塊,通過計算機實時控制實現(xiàn)芯片拾取、定位、貼裝的全程自動化,減少人為干預帶來的誤差。

此外,新型導電膠材料的研發(fā),如具有自修復功能的銀漿或低溫固化導電膠,正逐步解決傳統(tǒng)銀漿在固化過程中可能產(chǎn)生的應力裂紋問題,提升貼裝可靠性;而激光加熱技術(shù)的應用,則通過局部快速升溫實現(xiàn)銀漿的精準固化,減少熱影響區(qū),提升芯片與框架的連接質(zhì)量。這些技術(shù)進步共同推動著框架內(nèi)貼片工藝向更高精度、更高效率、更低缺陷率的方向持續(xù)演進,為半導體器件的性能提升與成本優(yōu)化提供堅實支撐。

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