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納芯微隔離類器件如何推動(dòng)光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)升級(jí)

米芯微電子 ? 來(lái)源:納芯微電子 ? 2025-11-05 09:26 ? 次閱讀
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來(lái)源:納芯微電子

2025年,“2000V”成為光伏與儲(chǔ)能領(lǐng)域的熱詞。繼600V、1000V、1500V之后,行業(yè)正加速邁向更高電壓平臺(tái)。隨著器件耐壓、絕緣與標(biāo)準(zhǔn)體系的完善,更高母線電壓正成為提升功率密度與系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性的關(guān)鍵方向。

電壓提升的背后,安全挑戰(zhàn)同步升級(jí)。隔離芯片作為系統(tǒng)的核心防線,既防止觸電風(fēng)險(xiǎn),又保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。數(shù)字隔離器、隔離驅(qū)動(dòng)、隔離采樣與隔離接口等多類器件協(xié)同作用,以確保高低壓間信號(hào)傳輸與絕緣安全的可靠性。

納芯微基于雙邊增強(qiáng)隔離電容Adaptive OOK 調(diào)制技術(shù),構(gòu)建通過(guò)多項(xiàng)國(guó)際安規(guī)認(rèn)證的“隔離+”產(chǎn)品體系,為全電壓范圍與全功率段的光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)提供高可靠、高性能的系統(tǒng)級(jí)解決方案。本文將聚焦兩個(gè)方向:一是解析電壓升級(jí)背景下隔離類器件在絕緣設(shè)計(jì)與安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的最新變化;二是探討 2000V 與 500+kW 級(jí)光儲(chǔ)系統(tǒng)中,功率拓?fù)洹Ⅱ?qū)動(dòng)與采樣架構(gòu)的技術(shù)演進(jìn)。

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01面對(duì)光儲(chǔ)新絕緣安規(guī)

隔離類器件耐壓、寬度如何變化?

母線電壓升高的原因主要有兩點(diǎn):

光伏板能力持續(xù)增強(qiáng),輸出電壓和功率不斷提升;

根據(jù)功率公式(P = U × I),在功率不變的情況下,電壓升高可使得電流減小,從而降低導(dǎo)線橫截面需求,節(jié)省整體系統(tǒng)成本。

母線電壓升高,會(huì)導(dǎo)致隔離類芯片的工作電壓要求提高。納芯微在售隔離類器件已經(jīng)支持最高達(dá)2121Vdc工作電壓的穩(wěn)定運(yùn)行,可幫助實(shí)現(xiàn)2000V系統(tǒng)下的基本絕緣。同時(shí),納芯微已經(jīng)在開發(fā)能力更強(qiáng)的隔離技術(shù),可在更高的Vdc下可靠運(yùn)行。

另一方面,防觸電絕緣系統(tǒng)的 CLR(絕緣間距)和 CPG(爬電距離)至關(guān)重要。CLR 防止瞬態(tài)電壓產(chǎn)生空氣電離或電弧(短期),CPG 防止在工作電壓下產(chǎn)生絕緣擊穿或漏電起痕(長(zhǎng)期)。一般來(lái)說(shuō),芯片的寬度需要同時(shí)大于等于安規(guī)對(duì)應(yīng)用場(chǎng)景下的CLR與CPG的要求。

隨著母線電壓升高,絕緣需求增加,常規(guī)爬電距離的芯片難以滿足安全標(biāo)準(zhǔn),寬體甚至超寬體設(shè)計(jì)成為必然選擇。目前,納芯微已有多款基于專利Adaptive OOK調(diào)制技術(shù)的寬體與超寬體隔離器件,例如超寬體數(shù)字隔離器NSI82xx、超寬體隔離驅(qū)動(dòng)NSI6801EC等,可適用于2kV超高母線電壓平臺(tái)。

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NSI82xx系列選型表

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NSI6801功能框圖與Pin腳定義

同時(shí),多款集成隔離功能與隔離供電功能的通訊接口芯片(如RS485 NSI8308xE、CAN NSI1042、NSI1050、NSI1052)也可滿足不同應(yīng)用需求,系統(tǒng)性幫助客戶差異化實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成化與低成本。

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RS485 NSI8308xE 選型表

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NSI1042、NSI1052Pin腳定義

022kV與500+kW:光儲(chǔ)場(chǎng)景拓?fù)渑c

功率器件、驅(qū)動(dòng)、采樣如何變化?

在 600V 至 1500V 進(jìn)化路徑中,組串式系統(tǒng)的 MPPT 級(jí)和逆變級(jí)拓?fù)湟褟?Si 兩電平演進(jìn)成 Si 三電平或 SiC 兩電平,系統(tǒng)功率也從 100+kW、200+kW 持續(xù)提升至 300+kW。當(dāng)前,業(yè)內(nèi)針對(duì)2000V系統(tǒng)推出的初代組串式光伏逆變器與儲(chǔ)能變流器產(chǎn)品普遍已經(jīng)達(dá)到450kW左右。在2000V系統(tǒng)下,大型組串式系統(tǒng)單機(jī)功率將快速推進(jìn)到500+kW級(jí)別。

更高的輸入電壓和功率要求,將直接影響系統(tǒng)方案設(shè)計(jì):

系統(tǒng)架構(gòu)上,MPPT數(shù)量、串?dāng)?shù)及單路功率隨系統(tǒng)規(guī)模不斷提升,保證高效能量轉(zhuǎn)化與功率跟蹤。

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)持續(xù)進(jìn)化,功率器件耐壓與通流等級(jí)不斷提升、驅(qū)動(dòng)方案做出調(diào)整。

近年來(lái),SiC碳化硅器件因其高耐壓、高開關(guān)速度、低損耗、高過(guò)載能力等優(yōu)勢(shì)開始嶄露頭角。隨著光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)的持續(xù)進(jìn)化與SiC器件的持續(xù)普及,下一代的光伏與儲(chǔ)能逆變器系統(tǒng)將更為廣泛地應(yīng)用SiC器件。針對(duì)SiC特性,納芯微推出了優(yōu)化的隔離柵極驅(qū)動(dòng)解決方案(如NSI660x系列),能夠滿足系統(tǒng)高壓、高效率升級(jí)需求。納芯微同時(shí)還提供電流型輸入的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器(如NSI6801系列),以高速響應(yīng)、高拉灌電流能力以及強(qiáng)抗擾能力應(yīng)對(duì)更復(fù)雜的電磁環(huán)境與設(shè)計(jì),確保整機(jī)系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

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納芯微隔離驅(qū)動(dòng)功能框圖

高壓側(cè)電流檢測(cè)的可靠性與精準(zhǔn)度直接影響系統(tǒng)效率與安全。更大的功率帶來(lái)更高的電流與更具挑戰(zhàn)的電磁環(huán)境,更先進(jìn)的功率器件帶來(lái)更快的暫態(tài)特性。這需要電流檢測(cè)擁有更高的通流、更高的信噪比與抗干擾性、更高的帶寬。

現(xiàn)有光儲(chǔ)系統(tǒng)中基于半導(dǎo)體芯片的電流檢測(cè)方案可分為兩類:

基于霍爾原理的電流傳感器,通過(guò)磁場(chǎng)耦合實(shí)現(xiàn)天然隔離,簡(jiǎn)化高低壓絕緣設(shè)計(jì);

基于分流器的采樣方案,需搭配隔離運(yùn)放或調(diào)制器完成電氣隔離,但精度更高、非線性度更低、溫漂和失調(diào)電壓特性更優(yōu),同時(shí)能有效抵御外部磁場(chǎng)干擾,是高精度場(chǎng)景優(yōu)選方案。

為應(yīng)對(duì)更大的工作電流,納芯微霍爾電流傳感器NSM201x系列采用隔離的方式將±65A以內(nèi)的電流轉(zhuǎn)換成線性電壓輸出,適用于多種隔離電流采樣場(chǎng)合,滿足光伏組串式逆變器DC輸入側(cè)MPPT(最大功率點(diǎn))跟蹤的電流檢測(cè)。其升級(jí)版本NSM201x-P系列今年發(fā)布,能顯著降低靈敏度誤差與漂移、零點(diǎn)誤差與漂移,同時(shí)大幅提升了EMC電磁兼容性)抗干擾能力。

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NSM201x-P系列全溫度范圍內(nèi)零點(diǎn)誤差和靈敏度誤差

批量數(shù)據(jù)分布情況

與此同時(shí),在更具挑戰(zhàn)電磁環(huán)境下,納芯微NSI13xx系列電流采樣芯片提供適配性解決方案:增強(qiáng)隔離型運(yùn)放NSI1300、NSI1200及Sigma-delta調(diào)制器NSI1306可精準(zhǔn)用于相電流采樣;NSI1311則以高輸入阻抗與2V線性輸入范圍,滿足直流母線電壓檢測(cè)需求,為MPPT DC-DC在高壓環(huán)境下提供可靠信號(hào)支撐。

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NSI1311 功能框圖

樣品申請(qǐng)

納芯微從“隔離”邁向“隔離+”,以全生態(tài)產(chǎn)品矩陣構(gòu)筑系統(tǒng)安全防線?!?”不僅意味著超越基礎(chǔ)隔離標(biāo)準(zhǔn)的安全保護(hù),為客戶系統(tǒng)打造更堅(jiān)固的高低壓屏障,也代表完整的產(chǎn)品生態(tài)——以成熟的電容隔離技術(shù) IP 為核心,涵蓋數(shù)字隔離器、隔離驅(qū)動(dòng)、隔離采樣、隔離接口和隔離電源,實(shí)現(xiàn)一站式解決方案,深度賦能大功率光儲(chǔ)充系統(tǒng)等核心場(chǎng)景。

隨著母線電壓從600V提升至2000V,光伏逆變器面臨更高電壓應(yīng)力與功率密度挑戰(zhàn),納芯微“隔離+”產(chǎn)品矩陣配合 SiC/IGBT 功率器件,為系統(tǒng)在高壓環(huán)境下提供精準(zhǔn)、高效、穩(wěn)定的運(yùn)行保障,為光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)安全升級(jí)提供堅(jiān)實(shí)支撐。

針對(duì)本文提及產(chǎn)品,可訪問(wèn) www.novosns.com 進(jìn)行樣片申請(qǐng);如需進(jìn)一步咨詢,可郵件至 sales@novosns.com。

納芯微電子(簡(jiǎn)稱納芯微,科創(chuàng)板股票代碼688052)是高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司。自2013年成立以來(lái),公司聚焦傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向,為汽車、工業(yè)、信息通訊及消費(fèi)電子等領(lǐng)域提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案。

納芯微以『“感知”“驅(qū)動(dòng)”未來(lái),共建綠色、智能、互聯(lián)互通的“芯”世界』為使命,致力于為數(shù)字世界和現(xiàn)實(shí)世界的連接提供芯片級(jí)解決方案。

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原文標(biāo)題:從600V到2000V:“隔離+” 如何賦能光伏與儲(chǔ)能系統(tǒng)升級(jí)?

文章出處:【微信號(hào):米芯微電子,微信公眾號(hào):米芯微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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