仁懋電子(MOT)推出的 MOT50N06D 是一款面向低壓大電流開關場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,憑借 60V 耐壓、超低導通損耗及高速開關特性,廣泛適用于各類開關應用(如 DC-DC 轉換器、電機驅動、功率開關系統(tǒng)等)。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數等維度展開詳細說明。
一、品牌背景:仁懋電子(MOT)與低壓大電流功率半導體布局
仁懋電子(MOT)聚焦低壓大電流功率半導體器件研發(fā),在60V 級大電流開關領域具備技術積累,產品以 “低導通損耗、高開關速度” 為核心優(yōu)勢,服務于消費電子、工業(yè)控制、汽車后裝等場景。MOT50N06D 系列作為其低壓大電流產品線的代表型號,針對 60V 大電流開關場景優(yōu)化了導通電阻與開關特性,在高頻切換、大電流負載控制等場景中表現(xiàn)突出。
二、MOT50N06D 基本信息
MOT50N06D 為N 溝道增強型功率 MOSFET,核心定位 “60V 級大電流高效開關器件”,適配 60V 系統(tǒng)的功率控制需求(如 DC-DC 轉換、電機驅動、功率開關等)。其核心特性包括:
- 電壓適配:漏源極耐壓(VDS)達 60V,兼容低壓大電流供電場景;
- 電流能力:25℃ 下連續(xù)漏極電流(ID)為 50A,脈沖漏極電流(IDpk)達 150A,滿足負載瞬間啟動與持續(xù)工作需求;
- 導通損耗:柵源電壓(VGS=10V)下導通電阻(RDS (on))典型值為 13mΩ,低壓大電流場景下?lián)p耗極低;
- 封裝形式:采用 TO-252 貼片封裝(無鹵版本,2500 片 / 卷),同時提供 TO-251 直插封裝(對應型號 MOT50N06C,70 片 / 管),適配不同工藝的電路板設計需求。
三、核心特性
MOT50N06D 圍繞 “低壓大電流高速開關” 需求打造,具備以下技術優(yōu)勢:
- 超低導通電阻:13mΩ 的典型導通電阻(VGS=10V),在 50A 大電流傳輸時熱損耗顯著降低,提升系統(tǒng)能效;
- 高開關速度:優(yōu)化芯片設計實現(xiàn)高速開關特性,適合高頻開關應用(如 PWM 控制的 DC-DC 轉換器);
- 強化 dv/dt 能力:提升了 dv/dt 耐受性能,在高速開關場景中抑制電壓尖峰,增強電路穩(wěn)定性;
- 環(huán)保合規(guī)性:無鹵版本符合 RoHS 標準,適配綠色電子制造要求。
四、關鍵電氣參數(Tc=25℃,除非特殊說明)
1. 絕對最大額定值
- 漏源極電壓(VDS):最大值 60V,超過此值易導致器件擊穿;
- 柵源極電壓(VGS):±20V,柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
- 連續(xù)漏極電流(ID):50A(Tc=25℃),隨結溫升高需降額使用;
- 脈沖漏極電流(IDpk):150A(脈沖寬度≤300μs,占空比≤2%),支持負載短時過載;
- 雪崩能量(EAS):單脈沖最大值 82mJ,應對感性負載關斷時的能量沖擊;
- 功耗(PD):46W(TO-251/TO-252 封裝,Tc=25℃),需搭配散熱措施保障長期可靠工作;
- 結溫范圍(TJ):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結溫區(qū)間一致。
五、封裝與型號釋義
MOT50N06D 系列通過后綴區(qū)分封裝類型,型號釋義如下:
- MOT50N06D:“MOT” 為品牌標識(仁懋電子),“50” 代表 “50A 額定電流(N 溝道)”,“06” 代表 “60V 漏源耐壓”,“D” 為版本標識(TO-252 貼片封裝,無鹵工藝);
- MOT50N06C:后綴 “C” 對應 TO-251 直插封裝,每管 70 片,適配傳統(tǒng)插裝式電路設計。
其中 TO-252 貼片封裝為表面貼裝形式,無鹵版本每卷 2500 片,滿足規(guī)?;a的高密度組裝需求;TO-251 直插封裝則適用于對安裝方式有傳統(tǒng)插裝需求的場景。
六、典型應用場景
MOT50N06D 憑借 60V 耐壓、50A 大電流及低導通損耗特性,典型應用包括:
- DC-DC 轉換器:在 60V 級降壓 / 升壓轉換器中作為主開關管,低損耗特性提升電源轉換效率;
- 電機驅動:適用于小型直流電機的驅動控制,大電流能力支持電機高效啟動與運行;
- 功率開關系統(tǒng):如電池管理系統(tǒng)(BMS)的充放電控制、工業(yè)設備的功率切換等場景,適配 60V 以下的大電流功率控制需求;
- 高頻開關應用:利用其高開關速度特性,在 PWM 控制的高頻電路中實現(xiàn)穩(wěn)定切換。
七、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產品手冊(注:上述參數基于手冊標注整理,實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。)
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選型手冊:MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

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